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BA1A4Z

产品描述100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小224KB,共6页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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BA1A4Z概述

100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

BA1A4Z规格参数

参数名称属性值
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)6000 ns
最大开启时间(吨)200 ns
Base Number Matches1

BA1A4Z相似产品对比

BA1A4Z BA1A4Z-K BA1A4Z-Q
描述 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 100 300 135
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 6000 ns 6000 ns 6000 ns
最大开启时间(吨) 200 ns 200 ns 200 ns
Base Number Matches 1 1 1
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
最大功率耗散 (Abs) - 0.25 W 0.25 W

 
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