100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
极性/信道类型 | PNP |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 6000 ns |
最大开启时间(吨) | 200 ns |
Base Number Matches | 1 |
BA1A4Z | BA1A4Z-K | BA1A4Z-Q | |
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描述 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V | 50 V | 50 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 | 300 | 135 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSIP-T3 | R-PSIP-T3 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
极性/信道类型 | PNP | PNP | PNP |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 6000 ns | 6000 ns | 6000 ns |
最大开启时间(吨) | 200 ns | 200 ns | 200 ns |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
最高工作温度 | - | 150 °C | 150 °C |
最大功率耗散 (Abs) | - | 0.25 W | 0.25 W |
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