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BA1A4Z-K: 产品描述100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小224KB，共6页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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BA1A4Z-K概述

100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

BA1A4Z-K规格参数

参数名称	属性值
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	300
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.25 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	6000 ns
最大开启时间（吨）	200 ns
Base Number Matches	1

BA1A4Z-K相似产品对比

	BA1A4Z-K	BA1A4Z	BA1A4Z-Q
描述	100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	300	100	135
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	6000 ns	6000 ns	6000 ns
最大开启时间（吨）	200 ns	200 ns	200 ns
Base Number Matches	1	1	1
最高工作温度	150 °C	-	150 °C
最大功率耗散 (Abs)	0.25 W	-	0.25 W

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