HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, PDIP14
HC/UH系列, 四 2输入 与非门, PDIP14
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| Objectid | 1438899923 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 |
| 针数 | 14 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| compound_id | 5241283 |
| 系列 | HC/UH |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
| 最大I（ol） | 0.004 A |
| 功能数量 | 4 |
| 输入次数 | 2 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出特性 | OPEN-DRAIN |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 2/6 V |
| 传播延迟（tpd） | 90 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| M54HC03F1R | M74HC03C1R | M74HC03 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, PDIP14 | HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, PDIP14 | HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, PDIP14 |
| 系列 | HC/UH | HC/UH | HC/UH |
| 功能数量 | 4 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 14 | 20 | 14 |
| 输出特性 | OPEN-DRAIN | OPEN-DRAIN | O-DRN |
| 温度等级 | MILITARY | INDUSTRIAL | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | J BEND | THROUGH-孔 |
| 端子位置 | DUAL | QUAD | 双 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | - |
| 零件包装代码 | DIP | QLCC | - |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 | PLASTIC, LCC-20 | - |
| 针数 | 14 | 20 | - |
| Reach Compliance Code | _compli | compli | - |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 | S-PQCC-J20 | - |
| JESD-609代码 | e0 | e3 | - |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF | - |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE | NAND GATE | - |
| 最大I（ol） | 0.004 A | 0.004 A | - |
| 输入次数 | 2 | 2 | - |
| 最高工作温度 | 125 °C | 85 °C | - |
| 最低工作温度 | -55 °C | -40 °C | - |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装代码 | DIP | QCCJ | - |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 | LDCC20,.4SQ | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE | - |
| 封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 电源 | 2/6 V | 2/6 V | - |
| 传播延迟（tpd） | 90 ns | 75 ns | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 施密特触发器 | NO | NO | - |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 4.57 mm | - |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6 V | 6 V | - |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2 V | 2 V | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | - |
| 表面贴装 | NO | YES | - |
| 技术 | CMOS | CMOS | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Matte Tin (Sn) | - |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 宽度 | 7.62 mm | 8.965 mm | - |
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