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IRGPH40K-EPBF

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 18A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小141KB,共7页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准
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IRGPH40K-EPBF概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 18A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD

IRGPH40K-EPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性ULTRA FAST
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)18 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
JEDEC-95代码TO-247AD
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)250
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)310 ns
标称接通时间 (ton)25 ns
Base Number Matches1

IRGPH40K-EPBF相似产品对比

IRGPH40K-EPBF IRGPH40K-E
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 18A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD Insulated Gate Bipolar Transistor, 18A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD
是否无铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant compliant
其他特性 ULTRA FAST ULTRA FAST
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 18 A 18 A
集电极-发射极最大电压 1200 V 1200 V
配置 SINGLE SINGLE
JEDEC-95代码 TO-247AD TO-247AD
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 250 225
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 MATTE TIN OVER NICKEL TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
晶体管应用 MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 310 ns 310 ns
标称接通时间 (ton) 25 ns 25 ns
Base Number Matches 1 1
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