DDR SRAM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
| 包装说明 | BGA-165 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 最长访问时间 | 0.45 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 250 MHz |
| I/O 类型 | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 |
| 长度 | 15 mm |
| 内存密度 | 37748736 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR SRAM |
| 内存宽度 | 18 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 165 |
| 字数 | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 2MX18 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LBGA |
| 封装等效代码 | BGA165,11X15,40 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 1.5/1.8,1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.46 mm |
| 最大待机电流 | 0.5 A |
| 最小待机电流 | 1.7 V |
| 最大压摆率 | 0.63 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 宽度 | 13 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| UPD46364185BF1-E40Y-EQ1-A | UPD46364185BF1-E33-EQ1-A | UPD46364185BF1-E40-EQ1-A | UPD46364185BF1-E40Y-EQ1 | UPD46364365BF1-E40-EQ1-A | UPD46364185BF1-E33Y-EQ1-A | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | DDR SRAM | UPD46364185BF1-E33-EQ1-A | UPD46364185BF1-E40-EQ1-A | DDR SRAM | UPD46364365BF1-E40-EQ1-A | DDR SRAM |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 不符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
| 包装说明 | BGA-165 | BGA-165 | BGA-165 | BGA-165 | BGA-165 | BGA-165 |
| Reach Compliance Code | compliant | unknown | unknown | unknown | compliant | compliant |
| 最长访问时间 | 0.45 ns | 0.45 ns | 0.45 ns | 0.45 ns | 0.45 ns | 0.45 ns |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 | R-PBGA-B165 | R-PBGA-B165 | R-PBGA-B165 | R-PBGA-B165 | R-PBGA-B165 |
| 长度 | 15 mm | 15 mm | 15 mm | 15 mm | 15 mm | 15 mm |
| 内存密度 | 37748736 bit | 37748736 bit | 37748736 bit | 37748736 bit | 37748736 bit | 37748736 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR SRAM | DDR SRAM | DDR SRAM | DDR SRAM | DDR SRAM | DDR SRAM |
| 内存宽度 | 18 | 18 | 18 | 18 | 36 | 18 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 165 | 165 | 165 | 165 | 165 | 165 |
| 字数 | 2097152 words | 2097152 words | 2097152 words | 2097152 words | 1048576 words | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 | 2000000 | 2000000 | 2000000 | 1000000 | 2000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 70 °C | 70 °C | 85 °C | 70 °C | 85 °C |
| 组织 | 2MX18 | 2MX18 | 2MX18 | 2MX18 | 1MX36 | 2MX18 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LBGA | LBGA | LBGA | LBGA | LBGA | LBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE | GRID ARRAY, LOW PROFILE | GRID ARRAY, LOW PROFILE | GRID ARRAY, LOW PROFILE | GRID ARRAY, LOW PROFILE | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 座面最大高度 | 1.46 mm | 1.46 mm | 1.46 mm | 1.46 mm | 1.46 mm | 1.46 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | BALL | BALL | BALL | BALL | BALL | BALL |
| 端子节距 | 1 mm | 1 mm | 1 mm | 1 mm | 1 mm | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 宽度 | 13 mm | 13 mm | 13 mm | 13 mm | 13 mm | 13 mm |
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