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SSS1N50B

产品描述520V N-Channel MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小628KB,共8页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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SSS1N50B概述

520V N-Channel MOSFET

SSS1N50B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-220F
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Code_compli
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)100 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)1.2 A
最大漏极电流 (ID)1.5 A
最大漏源导通电阻5.3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)23 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)5 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

SSS1N50B相似产品对比

SSS1N50B SSP1N50B
描述 520V N-Channel MOSFET 520V N-Channel MOSFET
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 TO-220F TO-220AB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 TO-220, 3 PIN
针数 3 3
Reach Compliance Code _compli unknow
Is Samacsys N N
雪崩能效等级(Eas) 100 mJ 100 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V 520 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 1.2 A 1.5 A
最大漏极电流 (ID) 1.5 A 1.5 A
最大漏源导通电阻 5.3 Ω 5.3 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 e3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 23 W 36 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 5 A 5 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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