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IRFF9120

产品描述Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小285KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IRFF9120概述

Transistor,

IRFF9120规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)4 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)20 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

IRFF9120相似产品对比

IRFF9120 IRFF9121 IRFF9123 IRFF9122
描述 Transistor, Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205 Transistor Transistor
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
配置 Single SINGLE Single Single
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
表面贴装 NO NO NO NO
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) - Vishay(威世)
最大漏极电流 (Abs) (ID) 4 A - 3.5 A 3.5 A
JESD-609代码 e0 - e0 e0
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C
最大功率耗散 (Abs) 20 W - 20 W 20 W
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches 1 1 1 -
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