Microprocessor, 16-Bit, 6MHz, MOS, CQCC68, CERAMIC, LCC-68
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | AMD(超微) |
| 零件包装代码 | LCC |
| 包装说明 | QCCN, LCC68A,.95SQ |
| 针数 | 68 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| 地址总线宽度 | 20 |
| 位大小 | 16 |
| 边界扫描 | NO |
| 最大时钟频率 | 12 MHz |
| 外部数据总线宽度 | 16 |
| 格式 | FIXED POINT |
| 集成缓存 | NO |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N68 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 24.13 mm |
| 低功率模式 | NO |
| DMA 通道数量 | 2 |
| 外部中断装置数量 | 5 |
| 串行 I/O 数 | |
| 端子数量 | 68 |
| 片上数据RAM宽度 | |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC68A,.95SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| RAM(字数) | 0 |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 3.048 mm |
| 速度 | 6 MHz |
| 最大压摆率 | 600 mA |
| 最大供电电压 | 5.25 V |
| 最小供电电压 | 4.75 V |
| 标称供电电压 | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | MOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 24.13 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | MICROPROCESSOR |
| Base Number Matches | 1 |
80186微处理器的增强型8-MHz 8086-2 CPU相比标准8086的优势主要体现在以下几个方面:
更高的时钟频率:增强型8-MHz 8086-2 CPU的运行频率是8MHz,而标准8086的运行频率通常为5MHz。更高的时钟频率意味着处理器可以在单位时间内执行更多的指令,从而提高了处理速度。
性能提升:由于运行频率的提高,增强型8-MHz 8086-2 CPU的性能是标准8086的两倍。这意味着它能够更快地处理数据和执行程序,提升了整体的系统性能。
改进的总线带宽:80186提供了4Mbyte/sec的总线带宽接口,这比标准8086的总线带宽更高,允许处理器更快速地与内存和其他系统组件进行数据交换。
独立的高速DMA通道:80186拥有两个独立的高速DMA(Direct Memory Access)通道,这使得数据传输可以直接在内存和外围设备之间进行,而不需要CPU的介入,从而减轻了CPU的负担并提高了数据传输效率。
直接寻址能力:80186能够直接寻址1Mbyte的内存,这比标准8086的寻址能力有所提升,使得它可以处理更大的内存空间,支持更复杂的应用程序。
增强的中断控制器:80186拥有可编程的中断控制器,可以更灵活地管理中断请求,提高系统的响应能力和稳定性。
软件兼容性:80186与所有现有的iAPX86.88软件完全对象代码兼容,这意味着它可以无缝运行为8086编写的软件,同时还能利用其增强的特性。
新增指令集:80186增加了十种新的指令类型,这些新指令可以提高某些特定操作的执行效率。
其他增强功能:80186还包括了可编程的内存和外设片选逻辑、可编程的等待状态生成器、本地总线控制器以及可选的数值处理器扩展等,这些功能进一步增强了处理器的灵活性和性能。
综上所述,80186的增强型8-MHz 8086-2 CPU在处理速度、数据传输效率、内存管理、软件兼容性以及指令集等方面相比标准8086都有显著的提升。
| 80186-6/BUC | 80186/BZC | 80186/BUC | 80186-6/BZC | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Microprocessor, 16-Bit, 6MHz, MOS, CQCC68, CERAMIC, LCC-68 | Microprocessor, 16-Bit, 8MHz, MOS, CPGA68, CERAMIC, PGA-68 | Microprocessor, 16-Bit, 8MHz, MOS, CQCC68, CERAMIC, LCC-68 | Microprocessor, 16-Bit, 6MHz, MOS, CPGA68, CERAMIC, PGA-68 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | AMD(超微) | AMD(超微) | AMD(超微) | AMD(超微) |
| 零件包装代码 | LCC | PGA | LCC | PGA |
| 包装说明 | QCCN, LCC68A,.95SQ | PGA, PGA68,11X11 | QCCN, LCC68A,.95SQ | PGA, PGA68,11X11 |
| 针数 | 68 | 68 | 68 | 68 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C |
| 地址总线宽度 | 20 | 20 | 20 | 20 |
| 位大小 | 16 | 16 | 16 | 16 |
| 边界扫描 | NO | NO | NO | NO |
| 最大时钟频率 | 12 MHz | 16 MHz | 16 MHz | 12 MHz |
| 外部数据总线宽度 | 16 | 16 | 16 | 16 |
| 格式 | FIXED POINT | FIXED POINT | FIXED POINT | FIXED POINT |
| 集成缓存 | NO | NO | NO | NO |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N68 | S-CPGA-P68 | S-CQCC-N68 | S-CPGA-P68 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 24.13 mm | 29.464 mm | 24.13 mm | 29.464 mm |
| 低功率模式 | NO | NO | NO | NO |
| DMA 通道数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 外部中断装置数量 | 5 | 5 | 5 | 5 |
| 端子数量 | 68 | 68 | 68 | 68 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN | PGA | QCCN | PGA |
| 封装等效代码 | LCC68A,.95SQ | PGA68,11X11 | LCC68A,.95SQ | PGA68,11X11 |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | GRID ARRAY | CHIP CARRIER | GRID ARRAY |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 3.048 mm | 4.953 mm | 3.048 mm | 4.953 mm |
| 速度 | 6 MHz | 8 MHz | 8 MHz | 6 MHz |
| 最大压摆率 | 600 mA | 600 mA | 600 mA | 600 mA |
| 最大供电电压 | 5.25 V | 5.25 V | 5.25 V | 5.25 V |
| 最小供电电压 | 4.75 V | 4.75 V | 4.75 V | 4.75 V |
| 标称供电电压 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO | YES | NO |
| 技术 | MOS | MOS | MOS | MOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD | PIN/PEG | NO LEAD | PIN/PEG |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | QUAD | PERPENDICULAR | QUAD | PERPENDICULAR |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 24.13 mm | 29.464 mm | 24.13 mm | 29.464 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | MICROPROCESSOR | MICROPROCESSOR | MICROPROCESSOR | MICROPROCESSOR |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
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