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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MA2J729
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MA2J729

产品描述Schottky Barrier Diodes (SBD)
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小44KB，共2页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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MA2J729概述

Schottky Barrier Diodes (SBD)

MA2J729规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Panasonic(松下)
零件包装代码SC-76
包装说明R-PDSO-F2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH SPEED SWITCH
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e6
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流1 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向恢复时间0.003 µs
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA2J729
Silicon epitaxial planar type
Unit : mm
For super-high speed switching circuit
For small current rectification
K
A
0.625
0.16
−
0.06
+
0.1
•
Sealed in the S-mini (2-pin) mold and super small type
•
Allowing to rectify under (I
F(AV)
= 200 mA) condition
•
Allowing high-density mounting
2
1
1.25
±
0.1
0.5
±
0.1
I
Features
0.3
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25°C
Parameter
Reverse voltage (DC)
Repetitive peak reverse voltage
Peak forward current
Average forward current
Non-repetitive peak forward
surge
current
*
T
j
T
stg
150
−55
to
+150
°C
°C
Junction temperature
Storage temperature
(non-repetitive)
Symbol
V
R
V
RRM
I
FM
I
F(AV)
I
FSM
Rating
30
30
300
200
1
Unit
V
V
mA
mA
A
0.4
±
0.1
1.7
±
0.1
2.5
±
0.2
0.4
±
0.1
1 : Anode
2 : Cathode
S-Mini Type Package (2-pin)
Marking Symbol: 2B
Note) * : The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine-wave
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25°C
Parameter
Reverse current (DC)
Forward voltage (DC)
Terminal capacitance
Reverse recovery time
*
Symbol
I
R
V
F
C
t
t
rr
V
R
= 30 V
I
F
= 200 mA
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
I
F
= I
R
= 100 mA
I
rr
= 10 mA, R
L
= 100
Ω
30
3.0
Conditions
Min
Typ
Max
50
0.55
Unit
µA
V
pF
ns
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a
human body and the leakage of current from the operating equipment
 
2. Rated input/output frequency: 1 000 MHz
3. * : t
rr
measuring instrument
Bias Application Unit N-50BU
t
r
Input Pulse
t
p
10%
t
I
F
Output Pulse
t
rr
t
I
rr
=
10 mA
I
F
=
100 mA
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
Ω
A
V
R
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
Ω
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
Ω
90%
t
p
=
2
µs
t
r
=
0.35 ns
δ =
0.05
0.7
±
0.1
1

MA2J729相似产品对比

MA2J729 MA729
描述 Schottky Barrier Diodes (SBD) Schottky Barrier Diodes (SBD)
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 SC-76 SC-76
包装说明 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2
针数 2 2
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH SPEED SWITCH HIGH SPEED SWITCH
外壳连接 CATHODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.55 V 0.55 V
JESD-30 代码 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流 1 A 1 A
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最大输出电流 0.2 A 0.2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 30 V 30 V
最大反向恢复时间 0.003 µs 0.003 µs
表面贴装 YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 10

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