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MA2S331

产品描述Silicon epitaxial planar type
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小39KB,共2页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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MA2S331概述

Silicon epitaxial planar type

MA2S331规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SC-79
包装说明R-PDSO-F2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最小击穿电压12 V
配置SINGLE
二极管电容容差6.67%
最小二极管电容比2.25
标称二极管电容15 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码R-PDSO-F2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压12 V
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
Base Number Matches1

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Variable Capacitance Diodes
MA2S331
Silicon epitaxial planar type
Unit : mm
For VCO of an UHF radio
I
Features
Small series resistance r
D.
r
D
= 0.18
(typ.)
Good linearity of C
V curve
SS-mini package, optimum for down-sizing of equipment
0.15 min.
0.15 min.
0.27
0.02
0.8
±
0.1
+
0.05
1.3
±
0.1
1.7
±
0.1
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
= 25°C
Reverse voltage (DC)
Forward current (DC)
Junction temperature
Storage temperature
V
R
I
F
T
j
T
stg
12
20
150
−55
to
+150
V
mA
°C
°C
1 : Anode
2 : Cathode
SS-Mini Type Package (2-pin)
0.7
±
0.1
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Marking Symbol: F
I
Electrical Characteristics
T
a
= 25°C
Parameter
Reverse current (DC)
Diode capacitance
Symbol
I
R
C
D(1V)
C
D(2V)
C
D(4V)
C
D(10V)
Capacitance ratio
C
D(1V)
/C
D(4V)
C
D(2V)
/C
D(10V)
Series resistance
*
r
D
C
D
= 9 pF, f = 470 MHz
V
R
= 12 V
V
R
= 1 V, f = 1 MHz
V
R
= 2 V, f = 1 MHz
V
R
= 4 V, f = 1 MHz
V
R
= 10 V, f = 1 MHz
17.0
14.0
10.0
5.5
1.53
2.25
6.0
1.6
2.5
0.18
15.0
Conditions
Min
Typ
Max
10
20.0
16.0
12.4
6.5
1.83
2.75
0.22
Unit
nA
pF
pF
pF
pF
Note) 1.
Rated input/output frequency: 470 MHz
2. : r
f
measuring instrument: YHP MODEL 4191A RF IMPEDANCE ANALYZER
*
0 to 0.1
0.13
0.02
+
0.05
0.27
0.02
+
0.05
1
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