Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MA3V175D

文档预览

MA3V175D: 产品描述Silicon epitaxial planar type; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小46KB，共2页; 制造商Panasonic(松下); 官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html

下载文档详细参数选型对比全文预览

MA3V175D概述

Silicon epitaxial planar type

MA3V175D规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Panasonic(松下)
包装说明	R-PSIP-T3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
最大二极管电容	4 pF
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.2 V
频带	VERY HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
最大非重复峰值正向电流	0.5 A
元件数量	2
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
最大输出电流	0.1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	40 V
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

Switching Diodes

MA6X127

Silicon epitaxial planar type

Unit : mm

For switching circuits

0.65

0.15

2.8

−

0.3

1.5

1.9

0.2

0.95

0.25

−

0.05

0.2

0.65

0.15

0.3

−

0.05

0.1

1.1

−

0.1

Parameter

Reverse voltage (DC)

Peak reverse voltage

Average forward current

Peak forward current

Non-repetitive peak forward

surge current

*1,2

Junction temperature

Storage temperature

Note) *1 : Value for single diode

*2 : t = 1 s

Symbol

F(AV)

FSM

stg

Rating

100

225

500

150

−55

+150

Unit

°C

1 : Anode 3,4

4 : Anode 1,2

2 : Cathode 1

5 : Cathode 3

3 : Cathode 2

6 : Cathode 4

Mini Type Package (6-pin)

Marking Symbol: M2U

Internal Connection

Electrical Characteristics

25°C

Parameter

Reverse current (DC)

Forward voltage (DC)

Reverse voltage (DC)

Terminal capacitance

Reverse recovery time

Symbol

75 V

100 mA

100

µA

0 V, f

1 MHz

10 mA, V

6 V

0.1 · I

, R

100

Ω

Conditions

Min

Typ

Max

100

1.2

Unit

Note) 1. Rated input/output frequency: 100 MHz

2. * : t

measuring circuit

Bias Application Unit N-50BU

10%

Input Pulse

0.1 · I

10 mA

6 V

100

Ω

Output Pulse

Pulse Generator

(PG-10N)

Ω

W.F.Analyzer

(SAS-8130)

Ω

90%

µs

0.35 ns

δ =

0.05

0 to 0.1

Absolute Maximum Ratings

25°C

0.1 to 0.3

0.4

0.2

0.8

0.16

−

0.06

0.2

•

Four-element contained in one package, allowing high-density

mounting

•

Centrosymmetrical wiring, allowing to free from the taping direc-

tion

•

The mirror image wiring of (MA6X122)

•

High breakdown voltage (V

= 80 V)

2.9

−

0.05

0.2

0.1

1.45

Features

MA3V175D相似产品对比

	MA3V175D	MA6X127	MA3V176D
描述	Silicon epitaxial planar type	Silicon epitaxial planar type	Silicon epitaxial planar type
厂商名称	Panasonic(松下)	Panasonic(松下)	-
包装说明	R-PSIP-T3	R-PDSO-G6	-
针数	3	6	-
Reach Compliance Code	unknown	unknown	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	-
配置	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	2 BANKS, COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	-
二极管元件材料	SILICON	SILICON	-
二极管类型	MIXER DIODE	RECTIFIER DIODE	-
最大正向电压 (VF)	1.2 V	1.2 V	-
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PDSO-G6	-
元件数量	2	4	-
端子数量	3	6	-
最高工作温度	150 °C	150 °C	-
最大输出电流	0.1 A	0.1 A	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-
最大重复峰值反向电压	40 V	80 V	-
表面贴装	NO	YES	-
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	-
端子位置	SINGLE	DUAL	-

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多