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IDT709149S10PFG

产品描述Dual-Port SRAM, 4KX9, 10ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80
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文件大小115KB,共10页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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IDT709149S10PFG概述

Dual-Port SRAM, 4KX9, 10ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80

IDT709149S10PFG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明TQFP-80
针数80
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间10 ns
其他特性SELF-TIMED WRITE
JESD-30 代码S-PQFP-G80
JESD-609代码e3
长度14 mm
内存密度36864 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度9
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量80
字数4096 words
字数代码4000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4KX9
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm
Base Number Matches1

IDT709149S10PFG相似产品对比

IDT709149S10PFG IDT709149S10PFG8 IDT709149S8PF9 IDT709149S12PFG8 IDT709149S8PFG IDT709149S8PFG8 IDT709149S10PF9 IDT709149S12PFG IDT709149S12PF9
描述 Dual-Port SRAM, 4KX9, 10ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 Dual-Port SRAM, 4KX9, 10ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 Dual-Port SRAM, 4KX9, 8ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 Dual-Port SRAM, 4KX9, 12ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 Dual-Port SRAM, 4KX9, 8ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 Dual-Port SRAM, 4KX9, 8ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 Dual-Port SRAM, 4KX9, 10ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 Dual-Port SRAM, 4KX9, 12ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 Dual-Port SRAM, 4KX9, 12ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80
是否无铅 不含铅 不含铅 含铅 不含铅 不含铅 不含铅 含铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 符合 符合 符合 不符合 符合 不符合
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP QFP QFP QFP QFP QFP
包装说明 TQFP-80 TQFP-80 TQFP-80 TQFP-80 LQFP, LQFP, LQFP, TQFP-80 TQFP-80
针数 80 80 80 80 80 80 80 80 80
Reach Compliance Code compliant compliant not_compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 10 ns 10 ns 8 ns 12 ns 8 ns 8 ns 10 ns 12 ns 12 ns
其他特性 SELF-TIMED WRITE SELF-TIMED WRITE SELF-TIMED WRITE SELF-TIMED WRITE SELF-TIMED WRITE SELF-TIMED WRITE SELF-TIMED WRITE SELF-TIMED WRITE SELF-TIMED WRITE
JESD-30 代码 S-PQFP-G80 S-PQFP-G80 S-PQFP-G80 S-PQFP-G80 S-PQFP-G80 S-PQFP-G80 S-PQFP-G80 S-PQFP-G80 S-PQFP-G80
JESD-609代码 e3 e3 e0 e3 e3 e3 e0 e3 e0
长度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
内存密度 36864 bit 36864 bit 36864 bit 36864 bit 36864 bit 36864 bit 36864 bit 36864 bit 36864 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 9 9 9 9 9 9 9 9 9
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 2 2 2 2 2 2 2 2 2
端子数量 80 80 80 80 80 80 80 80 80
字数 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words
字数代码 4000 4000 4000 4000 4000 4000 4000 4000 4000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4KX9 4KX9 4KX9 4KX9 4KX9 4KX9 4KX9 4KX9 4KX9
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 240 260 260 260 240 260 240
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) MATTE TIN TIN LEAD MATTE TIN Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) TIN LEAD MATTE TIN TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 20 30 30 30 20 30 20
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) - - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1 -

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