IDT709149S12PFG8,IDT709149S12PFG8 pdf中文资料,IDT709149S12PFG8引脚图,IDT709149S12PFG8电路-Datasheet-电子工程世界

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IDT709149S12PFG8: 产品描述Dual-Port SRAM, 4KX9, 12ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80; 产品类别存储存储; 文件大小115KB，共10页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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IDT709149S12PFG8概述

Dual-Port SRAM, 4KX9, 12ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80

IDT709149S12PFG8规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	QFP
包装说明	TQFP-80
针数	80
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	12 ns
其他特性	SELF-TIMED WRITE
JESD-30 代码	S-PQFP-G80
JESD-609代码	e3
长度	14 mm
内存密度	36864 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	9
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	80
字数	4096 words
字数代码	4000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4KX9
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

IDT709149S12PFG8相似产品对比

	IDT709149S12PFG8	IDT709149S10PFG8	IDT709149S8PF9	IDT709149S8PFG	IDT709149S8PFG8	IDT709149S10PFG	IDT709149S10PF9	IDT709149S12PFG	IDT709149S12PF9
描述	Dual-Port SRAM, 4KX9, 12ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80	Dual-Port SRAM, 4KX9, 10ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80	Dual-Port SRAM, 4KX9, 8ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80	Dual-Port SRAM, 4KX9, 8ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80	Dual-Port SRAM, 4KX9, 8ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80	Dual-Port SRAM, 4KX9, 10ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80	Dual-Port SRAM, 4KX9, 10ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80	Dual-Port SRAM, 4KX9, 12ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80	Dual-Port SRAM, 4KX9, 12ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80
是否无铅	不含铅	不含铅	含铅	不含铅	不含铅	不含铅	含铅	不含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	符合	符合	符合	不符合	符合	不符合
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	TQFP-80	TQFP-80	TQFP-80	LQFP,	LQFP,	TQFP-80	LQFP,	TQFP-80	TQFP-80
针数	80	80	80	80	80	80	80	80	80
Reach Compliance Code	compliant	compliant	not_compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	12 ns	10 ns	8 ns	8 ns	8 ns	10 ns	10 ns	12 ns	12 ns
其他特性	SELF-TIMED WRITE	SELF-TIMED WRITE	SELF-TIMED WRITE	SELF-TIMED WRITE	SELF-TIMED WRITE	SELF-TIMED WRITE	SELF-TIMED WRITE	SELF-TIMED WRITE	SELF-TIMED WRITE
JESD-30 代码	S-PQFP-G80	S-PQFP-G80	S-PQFP-G80	S-PQFP-G80	S-PQFP-G80	S-PQFP-G80	S-PQFP-G80	S-PQFP-G80	S-PQFP-G80
JESD-609代码	e3	e3	e0	e3	e3	e3	e0	e3	e0
长度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
内存密度	36864 bit	36864 bit	36864 bit	36864 bit	36864 bit	36864 bit	36864 bit	36864 bit	36864 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	9	9	9	9	9	9	9	9	9
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	2	2	2	2	2	2	2	2	2
端子数量	80	80	80	80	80	80	80	80	80
字数	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words
字数代码	4000	4000	4000	4000	4000	4000	4000	4000	4000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4KX9	4KX9	4KX9	4KX9	4KX9	4KX9	4KX9	4KX9	4KX9
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	240	260	260	260	240	260	240
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	MATTE TIN	MATTE TIN	TIN LEAD	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	TIN LEAD	MATTE TIN	TIN LEAD
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	20	30	30	30	20	30	20
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	-
厂商名称	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)

IDT709149S12PFG8

IDT709149S12PFG8概述

IDT709149S12PFG8规格参数

IDT709149S12PFG8相似产品对比

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