Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRF9Z24STRL

IRF9Z24STRL: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小308KB，共10页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IRF9Z24STRL概述

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3

IRF9Z24STRL规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW ON RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）	240 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	11 A
最大漏源导通电阻	0.28 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	225
极性/信道类型	P-CHANNEL
功耗环境最大值	60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	44 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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PD - 9.912A

IRF9Z24S/L

HEXFET

Power MOSFET

Advanced Process Technology

Surface Mount (IRF9Z24S)

Low-profile through-hole (IRF9Z24L)

175°C Operating Temperature

Fast Switching

P- Channel

Fully Avalanche Rated

Description

DSS

= -60V

DS(on)

= 0.28Ω

= -11A

Third Generation HEXFETs from International Rectifier

utilize advanced processing techniques to achieve

extremely low on-resistance per silicon area. This

benefit, combined with the fast switching speed and

ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs

are well known for, provides the designer with an extremely

efficient and reliable device for use in a wide variety of

applications.

The D

Pak is a surface mount power package capable of

accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the

highest power capability and the lowest possible on-

resistance in any existing surface mount package. The

Pak is suitable for high current applications because of

its low internal connection resistance and can dissipate

up to 2.0W in a typical surface mount application.

The through-hole version (IRF9Z24L) is available for low-

profile applications.

D 2 Pak

T O -2 6 2

Absolute Maximum Ratings

Parameter

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv/dt

STG

Continuous Drain Current, V

@ 10V

Continuous Drain Current, V

@ 10V

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Max.

-11

-7.7

-44

3.7

0.40

± 20

240

-11

6.0

-4.5

-55 to + 175

300 (1.6mm from case )

Units

W/°C

V/ns

°C

Thermal Resistance

Parameter

θJC

θJA

Junction-to-Case

Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**

Typ.

–––

Max.

2.5

Units

°C/W

8/25/97

IRF9Z24STRL相似产品对比

	IRF9Z24STRL	IRF9Z24STRR
描述	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
是否无铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	D2PAK	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW ON RESISTANCE	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW ON RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）	240 mJ	240 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V
最大漏极电流 (ID)	11 A	11 A
最大漏源导通电阻	0.28 Ω	0.28 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	225	225
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL
功耗环境最大值	60 W	60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	44 A	44 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1

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