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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRFR420ATRPBF
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IRFR420ATRPBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小115KB，共10页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
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IRFR420ATRPBF在线购买

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IRFR420ATRPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3

IRFR420ATRPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码TO-252AA
包装说明DPAK-3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级（Eas）140 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.3 A
最大漏极电流 (ID)3.3 A
最大漏源导通电阻3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)83 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)10 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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PD - 94355
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IRFR420A
IRFU420A
HEXFET
®
Power MOSFET
Applications
l
Switch Mode Power Supply (SMPS)
l
Uninterruptible Power Supply
l
High speed power switching
Benefits
l
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
l
Effective C
OSS
specified (See AN 1001)
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current

Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
ƒ
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
V
DSS
500V
R
DS
(on) max
3.0Ω
I
D
3.3A
D-Pak
IRFR420A
I-Pak
IRFU420A
Max.
3.3
2.1
10
83
0.67
± 30
3.4
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
Units
A
W
W/°C
V
V/ns
Avalanche Characteristics
Parameter
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy‚
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Typ.
–––
–––
–––
Max.
140
2.5
5.0
Units
mJ
A
mJ
Thermal Resistance
Parameter
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Typ.
–––
0.50
–––
Max.
1.5
–––
62
Units
°C/W
www.irf.com
1
12/10/01

IRFR420ATRPBF相似产品对比

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描述 Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码 TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
包装说明 DPAK-3 DPAK-3 DPAK-3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown compliant compliant
雪崩能效等级（Eas） 140 mJ 140 mJ 140 mJ 140 mJ 140 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3.3 A 3.3 A 3.3 A 3.3 A 3.3 A
最大漏极电流 (ID) 3.3 A 3.3 A 3.3 A 3.3 A 3.3 A
最大漏源导通电阻 3 Ω 3 Ω 3 Ω 3 Ω 3 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3 e3 e0 e0
湿度敏感等级 1 1 1 1 1
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 245 245
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 83 W 83 W 83 W 83 W 83 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子面层 MATTE TIN OVER NICKEL MATTE TIN OVER NICKEL MATTE TIN OVER NICKEL Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON

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