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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRG4RC10KDTRRPBF
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IRG4RC10KDTRRPBF

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 9A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小317KB，共12页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
标准
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IRG4RC10KDTRRPBF概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 9A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3

IRG4RC10KDTRRPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码TO-252AA
包装说明LEAD FREE, DPAK-3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)9 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）210 ns
门极发射器阈值电压最大值6.5 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)38 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)410 ns
标称接通时间 (ton)78 ns
Base Number Matches1

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PD - 95035
IRG4RC10KDPbF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
• Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for
high operating frequencies >5.0 kHz , and Short
Circuit Rated to 10µs @ 125°C, V
GE
= 15V
• Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
previous generation
• IGBT co-packaged with HEXFRED
TM
ultrafast,
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
bridge configurations
• Industry standard TO-252AA package
• Lead-Free
Short Circuit Rated
UltraFast IGBT
C
Features
V
CES
= 600V
G
E
V
CE(on) typ.
= 2.39V
@V
GE
= 15V, I
C
= 5.0A
n-channel
Benefits
Absolute Maximum Ratings
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
t
sc
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
STG
• Latest generation 4 IGBT's offer highest power density
motor controls possible
• HEXFRED
TM
diodes optimized for performance with IGBTs.
Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and
switching losses
• For hints see design tip 97003
Parameter
Collector-to-Emitter Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current

Clamped Inductive Load Current
‚
Diode Continuous Forward Current
Diode Maximum Forward Current
Short Circuit Withstand Time
Gate-to-Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 sec.
D-PAK
TO-252AA
Max.
600
9.0
5.0
18
18
4.0
16
10
± 20
38
15
-55 to +150
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)
Units
V
A
µs
V
W
°C
Thermal Resistance
Parameter
R
θJC
R
θJC
R
θJA
Wt
Junction-to-Case - IGBT
Junction-to-Case - Diode
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Weight
Typ.
–––
–––
–––
0.3 (0.01)
Max.
3.3
7.0
50
–––
Units
°C/W
g (oz)
*
When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material).
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
www.irf.com
1
2/20/04

IRG4RC10KDTRRPBF相似产品对比

IRG4RC10KDTRRPBF IRG4RC10KDTRPBF IRG4RC10KDTRL IRG4RC10KDTRLPBF IRG4RC10KDTRR
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 9A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 igbt modules 600v 8.500a Insulated Gate Bipolar Transistor, 9A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3 Insulated Gate Bipolar Transistor, 9A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 Insulated Gate Bipolar Transistor, 9A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 符合 不符合
厂商名称 International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码 TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
包装说明 LEAD FREE, DPAK-3 LEAD FREE, DPAK-3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 LEAD FREE, DPAK-3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown compliant unknown compliant
最大集电极电流 (IC) 9 A 9 A 9 A 9 A 9 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V 600 V 600 V 600 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf） 210 ns 210 ns 210 ns 210 ns 210 ns
门极发射器阈值电压最大值 6.5 V 6.5 V 6.5 V 6.5 V 6.5 V
门极-发射极最大电压 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V
JEDEC-95代码 TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3 e0 e3 e0
湿度敏感等级 1 1 1 1 1
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 38 W 38 W 38 W 38 W 38 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子面层 MATTE TIN OVER NICKEL MATTE TIN OVER NICKEL Tin/Lead (Sn/Pb) MATTE TIN OVER NICKEL Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED
晶体管应用 MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 410 ns 410 ns 410 ns 410 ns 410 ns
标称接通时间 (ton) 78 ns 78 ns 78 ns 78 ns 78 ns
Base Number Matches 1 1 1 1 1
其他特性 - ULTRA FAST SOFT RECOVERY ULTRA FAST SOFT RECOVERY - ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接 - COLLECTOR COLLECTOR - COLLECTOR

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