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KM736V887-9: 产品描述Standard SRAM, 256KX36, 9ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小937KB，共18页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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KM736V887-9概述

Standard SRAM, 256KX36, 9ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

KM736V887-9规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	QFP
包装说明	LQFP,
针数	100
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	9 ns
其他特性	ONCHIP ADDRESS COUNTER; SELF TIMED WRITE CYCLE
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
长度	20 mm
内存密度	9437184 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	100
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

KM736V887-9相似产品对比

	KM736V887-9	KM718V987-10	KM718V987-8	KM718V987-9	KM736V887-10	KM736V887-8
描述	Standard SRAM, 256KX36, 9ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100	Standard SRAM, 512KX18, 10ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100	Standard SRAM, 512KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100	Standard SRAM, 512KX18, 9ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100	Standard SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100	Standard SRAM, 256KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	LQFP,	LQFP,	LQFP,	LQFP,	LQFP,	LQFP,
针数	100	100	100	100	100	100
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	9 ns	10 ns	8.5 ns	9 ns	10 ns	8.5 ns
其他特性	ONCHIP ADDRESS COUNTER; SELF TIMED WRITE CYCLE	SELF TIMED WRITE CYCLE	ONCHIP ADDRESS COUNTER; SELF TIMED WRITE CYCLE	ONCHIP ADDRESS COUNTER; SELF TIMED WRITE CYCLE	SELF TIMED WRITE CYCLE	ONCHIP ADDRESS COUNTER; SELF TIMED WRITE CYCLE
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100
长度	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm
内存密度	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bi	9437184 bi	9437184 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	36	18	18	18	36	36
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	100	100	100	100	100	100
字数	262144 words	524288 words	524288 words	524288 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	512000	512000	512000	256000	256000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX36	512KX18	512KX18	512KX18	256KX36	256KX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm

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