INA114BU-TR放大器基础信息：
INA114BU-TR是一款INSTRUMENTATION AMPLIFIER。常用的包装方式为SOP,
INA114BU-TR放大器核心信息：
INA114BU-TR的最低工作温度是-40 °C，最高工作温度是85 °C。他的最大平均偏置电流为0.002 µA而其最大的输入失调电流（IIO）则仅为0.002 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，INA114BU-TR的标称压摆率有0.6 V/us。其最大电压增益为10000，最小电压增益为1。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，INA114BU-TR增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1 MHz。
INA114BU-TR的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。INA114BU-TR的输入失调电压为150 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
INA114BU-TR的相关尺寸：
INA114BU-TR的宽度为：7.5 mm，长度为10.3 mmINA114BU-TR拥有16个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚：16
INA114BU-TR放大器其他信息：
其温度等级为：INDUSTRIAL。其对应的的JESD-30代码为：R-PDSO-G16。INA114BU-TR的封装代码是：SOP。INA114BU-TR封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为RECTANGULAR。
INA114BU-TR封装引脚的形式有：SMALL OUTLINE。其端子形式有：GULL WING。座面最大高度为2.65 mm。
INA114BU-TR放大器基础信息：
INA114BU-TR是一款INSTRUMENTATION AMPLIFIER。常用的包装方式为SOP,
INA114BU-TR放大器核心信息：
INA114BU-TR的最低工作温度是-40 °C，最高工作温度是85 °C。他的最大平均偏置电流为0.002 µA而其最大的输入失调电流（IIO）则仅为0.002 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，INA114BU-TR的标称压摆率有0.6 V/us。其最大电压增益为10000，最小电压增益为1。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，INA114BU-TR增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1 MHz。
INA114BU-TR的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。INA114BU-TR的输入失调电压为150 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
INA114BU-TR的相关尺寸：
INA114BU-TR的宽度为：7.5 mm，长度为10.3 mmINA114BU-TR拥有16个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚：16
INA114BU-TR放大器其他信息：
其温度等级为：INDUSTRIAL。其对应的的JESD-30代码为：R-PDSO-G16。INA114BU-TR的封装代码是：SOP。INA114BU-TR封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为RECTANGULAR。
INA114BU-TR封装引脚的形式有：SMALL OUTLINE。其端子形式有：GULL WING。座面最大高度为2.65 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOP, |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.002 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 1 MHz |
| 最小共模抑制比 | 80 dB |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.002 µA |
| 最大输入失调电压 | 150 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 |
| 长度 | 10.3 mm |
| 负供电电压上限 | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 最大非线性 | 0.01% |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.65 mm |
| 标称压摆率 | 0.6 V/us |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | YES |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 最大电压增益 | 10000 |
| 最小电压增益 | 1 |
| 标称电压增益 | 10 |
| 宽度 | 7.5 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| INA114BU-TR | INA114AU-TR | INA114AG | |
|---|---|---|---|
| 描述 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 150uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, PDSO16 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 625uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, PDSO16 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 625uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, CDIP8 |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC | DIP |
| 包装说明 | SOP, | SOP, | CERAMIC, DIP-8 |
| 针数 | 16 | 16 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.002 µA | 0.005 µA | 0.005 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 1 MHz | 1 MHz | 1 MHz |
| 最小共模抑制比 | 80 dB | 75 dB | 75 dB |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.002 µA | 0.005 µA | 0.005 µA |
| 最大输入失调电压 | 150 µV | 625 µV | 625 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 | R-PDSO-G16 | R-CDIP-T8 |
| 负供电电压上限 | -18 V | -18 V | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V |
| 最大非线性 | 0.01% | 0.02% | 0.02% |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 16 | 16 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | SOP | SOP | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | IN-LINE |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 标称压摆率 | 0.6 V/us | 0.6 V/us | 0.6 V/us |
| 供电电压上限 | 18 V | 18 V | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | YES | YES | NO |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 最大电压增益 | 10000 | 10000 | 10000 |
| 最小电压增益 | 1 | 1 | 1 |
| 标称电压增益 | 10 | 10 | 10 |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
| 长度 | 10.3 mm | 10.3 mm | - |
| 座面最大高度 | 2.65 mm | 2.65 mm | - |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | - |
| 宽度 | 7.5 mm | 7.5 mm | - |
| 器件名 | 厂商 | 描述 |
|---|---|---|
| INA111BU | Texas Instruments(德州仪器) | High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier 16-SOIC |
| INA114AUE4 | Texas Instruments(德州仪器) | Precision Instrumentation Amplifier 16-SOIC -40 to 85 |
| INA111AUE4 | Texas Instruments(德州仪器) | High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier 16-SOIC -40 to 85 |
| INA114AU | Texas Instruments(德州仪器) | INST Amp Single ±18V 16-Pin SOIC Tube |
| INA111AU | Texas Instruments(德州仪器) | High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier 16-SOIC -40 to 85 |
| AMP02FS-REEL | Rochester Electronics | INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 350 uV OFFSET-MAX, 1.2 MHz BAND WIDTH, PDSO16, MS-013AA, SOIC-16 |
| AMP02FS | Rochester Electronics | INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 350 uV OFFSET-MAX, 1.2 MHz BAND WIDTH, PDSO16, MS-013AA, SOIC-16 |
| INA114AU/1K | Texas Instruments(德州仪器) | Precision Instrumentation Amplifier 16-SOIC -40 to 85 |
| INA114AU/1KE4 | Texas Instruments(德州仪器) | INST Amp Single ±18V 16-Pin SOIC T/R |
| INA114BU | Texas Instruments(德州仪器) | INST Amp Single ±18V 16-Pin SOIC Tube |
| INA114AUG4 | Texas Instruments(德州仪器) | INST Amp Single ±18V 16-Pin SOIC Tube |
| INA111BUE4 | Texas Instruments(德州仪器) | High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier 16-SOIC |
| INA129U/2K5 | Texas Instruments(德州仪器) | 增益带宽积（GBP）：1.3MHz(-3dB) 放大器组数：1 运放类型：Instrumentation 各通道功耗：- 压摆率（SR）：4 V/us 电源电压：4.5V ~ 36V, ±2.25V ~ 18V 精密低功耗仪器放大器 |
| INA129UA/2K5 | Texas Instruments(德州仪器) | 增益带宽积（GBP）：- 放大器组数：1 运放类型：Instrumentation 各通道功耗：700uA 压摆率（SR）：4 V/us 电源电压：4.5V ~ 36V, ±2.25V ~ 18V |
| INA111AU/1K | Texas Instruments(德州仪器) | High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier 16-SOIC -40 to 85 |
| INA114BU/1K | Texas Instruments(德州仪器) | INST Amp Single ±18V 16-Pin SOIC T/R |
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