Flash PLD, 15ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | QLCC |
包装说明 | QCCN, |
针数 | 28 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最大时钟频率 | 55.5 MHz |
JESD-30 代码 | S-CQCC-N28 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 11.45 mm |
专用输入次数 | 11 |
I/O 线路数量 | 10 |
端子数量 | 28 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 11 DEDICATED INPUTS, 10 I/O |
输出函数 | MACROCELL |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | QCCN |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
可编程逻辑类型 | FLASH PLD |
传播延迟 | 15 ns |
认证状态 | Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 |
座面最大高度 | 2.54 mm |
最大供电电压 | 5.5 V |
最小供电电压 | 4.5 V |
标称供电电压 | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 11.45 mm |
Base Number Matches | 1 |
5962-89841033X | 5962-8984106LA | 5962-8984103LA | 5962-89841063X | |
---|---|---|---|---|
描述 | Flash PLD, 15ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 | Flash PLD, 10ns, PAL-Type, CMOS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24 | Flash PLD, 15ns, PAL-Type, CMOS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24 | Flash PLD, 10ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | QLCC | DIP | DIP | QLCC |
包装说明 | QCCN, | DIP, DIP24,.3 | DIP, DIP24,.3 | QCCN, |
针数 | 28 | 24 | 24 | 28 |
Reach Compliance Code | compliant | compli | compliant | compliant |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C |
最大时钟频率 | 55.5 MHz | 76.9 MHz | 50 MHz | 90 MHz |
JESD-30 代码 | S-CQCC-N28 | R-CDIP-T24 | R-CDIP-T24 | S-CQCC-N28 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
长度 | 11.45 mm | 32 mm | 32 mm | 11.45 mm |
专用输入次数 | 11 | 11 | 11 | 11 |
I/O 线路数量 | 10 | 10 | 10 | 10 |
端子数量 | 28 | 24 | 24 | 28 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
组织 | 11 DEDICATED INPUTS, 10 I/O | 11 DEDICATED INPUTS, 10 I/O | 11 DEDICATED INPUTS, 10 I/O | 11 DEDICATED INPUTS, 10 I/O |
输出函数 | MACROCELL | MACROCELL | MACROCELL | MACROCELL |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | QCCN | DIP | DIP | QCCN |
封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR | RECTANGULAR | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
可编程逻辑类型 | FLASH PLD | FLASH PLD | FLASH PLD | FLASH PLD |
传播延迟 | 15 ns | 10 ns | 15 ns | 10 ns |
认证状态 | Qualified | Qualified | Qualified | Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 | MIL-STD-883 | MIL-STD-883 | MIL-STD-883 |
座面最大高度 | 2.54 mm | 5.08 mm | 5.08 mm | 2.54 mm |
最大供电电压 | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | NO | NO | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD |
端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD | DUAL | DUAL | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 11.45 mm | 7.62 mm | 7.62 mm | 11.45 mm |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
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