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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> CAT28C512LI-12
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CAT28C512LI-12

产品描述EEPROM, 64KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDIP32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-32
产品类别存储    存储   
文件大小89KB，共12页
制造商Catalyst
官网地址http://www.catalyst-semiconductor.com/
标准
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CAT28C512LI-12概述

EEPROM, 64KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDIP32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-32

CAT28C512LI-12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Catalyst
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP32,.6
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
命令用户界面NO
数据轮询YES
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDIP-T32
JESD-609代码e3
长度42.03 mm
内存密度524288 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
页面大小128 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）260
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大待机电流0.0002 A
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
切换位YES
宽度15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
Base Number Matches1

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CAT28C512/513
512K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM
FEATURES
s
Fast Read Access Times: 120/150 ns
s
Low Power CMOS Dissipation:
s
Automatic Page Write Operation:
–Active: 50 mA Max.
–Standby: 200
µ
A Max.
s
Simple Write Operation:
–1 to 128 Bytes in 5ms
–Page Load Timer
s
End of Write Detection:
–On-Chip Address and Data Latches
–Self-Timed Write Cycle with Auto-Clear
s
Fast Write Cycle Time:
–Toggle Bit
–DATA Polling
DATA
s
Hardware and Software Write Protection
s
100,000 Program/Erase Cycles
s
100 Year Data Retention
s
Commercial, Industrial and Automotive
–5ms Max
s
CMOS and TTL Compatible I/O
Temperature Ranges
DESCRIPTION
The CAT28C512/513 is a fast,low power, 5V-only CMOS
parallel EEPROM organized as 64K x 8-bits. It requires
a simple interface for in-system programming. On-chip
address and data latches, self-timed write cycle with
auto-clear and V
CC
power up/down write protection
eliminate additional timing and protection hardware.
DATA
Polling and Toggle status bits signal the start and
end of the self-timed write cycle. Additionally, the
CAT28C512/513 features hardware and software write
protection.
The CAT28C512/513 is manufactured using Catalyst’s
advanced CMOS floating gate technology. It is designed
to endure 100,000 program/erase cycles and has a data
retention of 100 years. The device is available in JEDEC
approved 32-pin DIP, PLCC and TSOP packages.
BLOCK DIAGRAM
ADDR. BUFFER
& LATCHES
INADVERTENT
WRITE
PROTECTION
ROW
DECODER
65,536 x 8
EEPROM
ARRAY
128 BYTE PAGE
REGISTER
A7–A15
VCC
HIGH VOLTAGE
GENERATOR
CE
OE
WE
CONTROL
I/O BUFFERS
TIMER
DATA POLLING
AND
TOGGLE BIT
COLUMN
DECODER
I/O0–I/O7
A0–A6
ADDR. BUFFER
& LATCHES
© 2009 SCILLC. All rights reserved.
Characteristics subject to change without notice
1
Doc. No. MD-1007, Rev. I

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描述 EEPROM, 64KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDIP32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-32 eeprom 512k-bit cmos para eeprom EEPROM, 64KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PDIP32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-32 EEPROM, 64KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32 EEPROM, 64KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, TSOP-32 EEPROM, 64KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32 EEPROM, 64KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32 EEPROM, 64KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, TSOP-32 EEPROM, 64KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 DIP QFJ DIP QFJ TSOP QFJ QFJ TSOP QFJ
包装说明 DIP, DIP32,.6 QCCJ, LDCC32,.5X.6 DIP, DIP32,.6 QCCJ, LDCC32,.5X.6 TSSOP, TSSOP32,.8,20 QCCJ, LDCC32,.5X.6 QCCJ, LDCC32,.5X.6 TSSOP, TSSOP32,.8,20 QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数 32 32 32 32 32 32 32 32 32
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 120 ns 150 ns 150 ns 120 ns 120 ns 150 ns 120 ns 150 ns 150 ns
命令用户界面 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
数据轮询 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
耐久性 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDIP-T32 R-PQCC-J32 R-PDIP-T32 R-PQCC-J32 R-PDSO-G32 R-PQCC-J32 R-PQCC-J32 R-PDSO-G32 R-PQCC-J32
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3
长度 42.03 mm 13.97 mm 42.03 mm 13.97 mm 18.4 mm 13.97 mm 13.97 mm 18.4 mm 13.97 mm
内存密度 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32 32 32 32 32
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000 64000 64000 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP QCCJ DIP QCCJ TSSOP QCCJ QCCJ TSSOP QCCJ
封装等效代码 DIP32,.6 LDCC32,.5X.6 DIP32,.6 LDCC32,.5X.6 TSSOP32,.8,20 LDCC32,.5X.6 LDCC32,.5X.6 TSSOP32,.8,20 LDCC32,.5X.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE CHIP CARRIER SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH CHIP CARRIER CHIP CARRIER SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH CHIP CARRIER
页面大小 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 260 260 260 260 260 260
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
编程电压 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 3.55 mm 5.08 mm 3.55 mm 1.2 mm 3.55 mm 3.55 mm 1.2 mm 3.55 mm
最大待机电流 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES NO YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 THROUGH-HOLE J BEND THROUGH-HOLE J BEND GULL WING J BEND J BEND GULL WING J BEND
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 0.5 mm 1.27 mm 1.27 mm 0.5 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL QUAD DUAL QUAD DUAL QUAD QUAD DUAL QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 30 40 40 40 40 40
切换位 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
宽度 15.24 mm 11.43 mm 15.24 mm 11.43 mm 8 mm 11.43 mm 11.43 mm 8 mm 11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms
厂商名称 Catalyst - Catalyst Catalyst Catalyst Catalyst Catalyst - Catalyst
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1 -
湿度敏感等级 - 3 - 3 2A 3 3 2A 3

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