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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N5618LEADFREE
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1N5618LEADFREE

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, GPR-1A, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小402KB，共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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1N5618LEADFREE概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, GPR-1A, 2 PIN

1N5618LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明GPR-1A, 2 PIN
针数2
制造商包装代码GPR-1A
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码E-XALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最大输出电流1 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ELLIPTICAL
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间2 µs
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
Base Number Matches1

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1N5614
1N5616
1N5618
1N5620
1N5622
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
GLASS PASSIVATED
SILICON RECTIFIERS
1.0 AMP, 200 THRU 800 VOLT
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N5614 series
types are silicon rectifiers mounted in a hermetically
sealed, glass passivated package, designed for general
purpose applications where high reliability is desired.
MARKING: FULL PART NUMBER
GPR-1A CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL 1N5614 1N5616 1N5618 1N5620 1N5622 UNITS
Peak Repetitive Reverse Voltage
VRRM
200
400
600
800
1000
V
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Forward Current (TA=55°C)
Peak Forward Surge Current, tp=8.3ms
Operating and Storage Junction Temperature
ELECTRICAL
SYMBOL
IR
IR
BVR
BVR
BVR
BVR
BVR
VF
CJ
trr
VR
VR(RMS)
IO
IFSM
TJ, Tstg
200
140
400
280
600
420
1.0
40
-65 to +200
800
560
1000
700
V
V
A
A
°C
CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
MIN
VR=Rated VRRM
VR=Rated VRRM, TA=100°C
IR=50μA (1N5614)
IR=50μA (1N5616)
IR=50μA (1N5618)
IR=50μA (1N5620)
IR=50μA (1N5622)
IF=1.0A
VR=12V, f=130kHz
IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A
220
440
660
880
1100
MAX
0.5
25
UNITS
μA
μA
V
V
V
V
V
1.2
35
2.0
V
pF
μs
R3 (27-February 2013)

1N5618LEADFREE相似产品对比

1N5618LEADFREE 1N5622LEADFREE 055U0R9G251PTM SCR20-180FE 1N5620LEADFREE
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, GPR-1A, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, GPR-1A, 2 PIN Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 250V, 2% +Tol, 2% -Tol, NP0, -/+30ppm/Cel TC, 0.0000009uF, 0606, Fixed Resistor, 0.25W, 18ohm, 150V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0805, CHIP, ROHS COMPLIANT Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, GPR-1A, 2 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 GPR-1A, 2 PIN GPR-1A, 2 PIN , 0606 , 0805 GPR-1A, 2 PIN
Reach Compliance Code compli compli compliant unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
JESD-609代码 e3 e3 e4 e3 e3
端子数量 2 2 2 2 2
端子面层 MATTE TIN (315) MATTE TIN (315) Palladium/Silver (Pd/Ag) Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier MATTE TIN (315)
是否无铅 不含铅 不含铅 - 不含铅 不含铅
针数 2 2 - - 2
制造商包装代码 GPR-1A GPR-1A - - GPR-1A
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY - - HIGH RELIABILITY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED - - ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE - - SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON - - SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - - RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 E-XALF-W2 E-XALF-W2 - - E-XALF-W2
元件数量 1 1 - - 1
最大输出电流 1 A 1 A - - 1 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED - - UNSPECIFIED
封装形状 ELLIPTICAL ELLIPTICAL - RECTANGULAR PACKAGE ELLIPTICAL
封装形式 LONG FORM LONG FORM SMT - LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 - - 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified - - Not Qualified
最大重复峰值反向电压 600 V 1000 V - - 800 V
最大反向恢复时间 2 µs 2 µs - - 2 µs
表面贴装 NO NO - YES NO
端子形式 WIRE WIRE - - WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL - - AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 - - 10
Base Number Matches 1 1 - - 1

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