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CAT28F010LI-12: 产品描述Flash, 128KX8, 120ns, PDIP32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-32; 产品类别存储存储; 文件大小380KB，共16页; 制造商Catalyst; 官网地址http://www.catalyst-semiconductor.com/; 标准

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CAT28F010LI-12概述

Flash, 128KX8, 120ns, PDIP32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-32

CAT28F010LI-12规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Catalyst
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP32,.6
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	120 ns
命令用户界面	YES
数据轮询	NO
耐久性	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDIP-T32
JESD-609代码	e3
长度	42.03 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	5 V
编程电压	12 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大待机电流	0.0001 A
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
切换位	NO
类型	NOR TYPE
宽度	15.24 mm
Base Number Matches	1

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CAT28F010

Licensed Intel

1 Megabit CMOS Flash Memory

second source

FEATURES

Fast read access time: 90/120 ns

Low power CMOS dissipation:

Commercial, industrial and automotive

temperature ranges

On-chip address and data latches

JEDEC standard pinouts:

–Active: 30 mA max (CMOS/TTL levels)

–Standby: 1 mA max (TTL levels)

–Standby: 100

A max (CMOS levels)

High speed programming:

–10

s per byte

–2 Sec Typ Chip Program

–32-pin DIP

–32-pin PLCC

–32-pin TSOP (8 x 20)

100,000 program/erase cycles

10 year data retention

Electronic signature

0.5 seconds typical chip-erase

12.0V

5% programming and erase voltage

Stop timer for program/erase

DESCRIPTION

The CAT28F010 is a high speed 128K x 8-bit electrically

erasable and reprogrammable Flash memory ideally

suited for applications requiring in-system or after-sale

code updates. Electrical erasure of the full memory

contents is achieved typically within 0.5 second.

It is pin and Read timing compatible with standard

EPROM and EEPROM devices. Programming and

Erase are performed through an operation and verify

algorithm. The instructions are input via the I/O bus,

using a two write cycle scheme. Address and Data are

latched to free the I/O bus and address bus during the

write operation.

The CAT28F010 is manufactured using Catalyst’s

advanced CMOS floating gate technology. It is designed

to endure 100,000 program/erase cycles and has a data

retention of 10 years. The device is available in JEDEC

approved 32-pin plastic DIP, 32-pin PLCC or 32-pin

TSOP packages.

I/O0–I/O7

BLOCK DIAGRAM

I/O BUFFERS

ERASE VOLTAGE

SWITCH

COMMAND

PROGRAM VOLTAGE

SWITCH

CE, OE LOGIC

DATA

LATCH

SENSE

AMP

ADDRESS LATCH

Y-GATING

Y-DECODER

1,048,576 BIT

MEMORY

ARRAY

A0–A16

X-DECODER

VOLTAGE VERIFY

SWITCH

Characteristics subject to change without notice

Doc. No. MD-1019, Rev. G

CAT28F010LI-12相似产品对比

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描述	Flash, 128KX8, 120ns, PDIP32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-32	Flash, 128KX8, 90ns, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, REVERSE, TSOP-32	Flash, 128KX8, 120ns, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32	Flash, 128KX8, 90ns, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, TSOP-32	Flash, 128KX8, 90ns, PDIP32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-32	Flash, 128KX8, 90ns, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32	Flash, 128KX8, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, REVERSE, TSOP-32
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	DIP	TSOP	QFJ	TSOP	DIP	QFJ	TSOP
包装说明	DIP, DIP32,.6	TSOP1-R, TSSOP32,.8,20	QCCJ, LDCC32,.5X.6	TSOP1, TSSOP32,.8,20	LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-32	QCCJ, LDCC32,.5X.6	TSOP1-R, TSSOP32,.8,20
针数	32	32	32	32	32	32	32
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	120 ns	90 ns	120 ns	90 ns	90 ns	90 ns	120 ns
命令用户界面	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
数据轮询	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
耐久性	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDIP-T32	R-PDSO-G32	R-PQCC-J32	R-PDSO-G32	R-PDIP-T32	R-PQCC-J32	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	e3	e3
长度	42.03 mm	18.4 mm	13.97 mm	18.4 mm	42.03 mm	13.97 mm	18.4 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bi	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	TSOP1-R	QCCJ	TSOP1	DIP	QCCJ	TSOP1-R
封装等效代码	DIP32,.6	TSSOP32,.8,20	LDCC32,.5X.6	TSSOP32,.8,20	DIP32,.6	LDCC32,.5X.6	TSSOP32,.8,20
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	CHIP CARRIER	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	IN-LINE	CHIP CARRIER	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
编程电压	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	1.2 mm	3.55 mm	1.2 mm	5.08 mm	3.55 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A
最大压摆率	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	YES	YES	NO	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)	MATTE TIN	Matte Tin (Sn)	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	J BEND	GULL WING	THROUGH-HOLE	J BEND	GULL WING
端子节距	2.54 mm	0.5 mm	1.27 mm	0.5 mm	2.54 mm	1.27 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	QUAD	DUAL	DUAL	QUAD	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	40	40	40	40
切换位	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
类型	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE
宽度	15.24 mm	8 mm	11.43 mm	8 mm	15.24 mm	11.43 mm	8 mm
厂商名称	Catalyst	-	Catalyst	Catalyst	Catalyst	Catalyst	Catalyst
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	-
湿度敏感等级	-	2A	3	2A	-	3	2A

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