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JANTXV2N2906A: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小212KB，共2页; 制造商Semicoa; 官网地址http://www.snscorp.com/Semicoa.htm; 标准

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JANTXV2N2906A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3

JANTXV2N2906A规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	BCY
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.6 A
集电极-发射极最大电压	60 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40
JEDEC-95代码	TO-18
JESD-30 代码	O-MBCY-W3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.4 W
认证状态	Qualified
参考标准	MIL-19500/291
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz
Base Number Matches	1

JANTXV2N2906A相似产品对比

	JANTXV2N2906A	JANTX2N2906A	JAN2N2906A	JANS2N2906A
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, TO-18, 3 PIN
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	BCY	BCY	BCY	BCY
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数	3	3	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compli	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.6 A	0.6 A	0.6 A	0.6 A
集电极-发射极最大电压	60 V	60 V	60 V	60 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40	40	40	40
JEDEC-95代码	TO-18	TO-18	TO-18	TO-18
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
最高工作温度	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.4 W	0.4 W	0.4 W	0.4 W
认证状态	Qualified	Qualified	Qualified	Qualified
参考标准	MIL-19500/291	MIL-19500/291	MIL-19500/291	MIL-19500/291M
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
Base Number Matches	1	1	1	-

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