Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | BCY |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 60 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 40 |
| JEDEC-95代码 | TO-18 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.4 W |
| 认证状态 | Qualified |
| 参考标准 | MIL-19500/291 |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 200 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
| JAN2N2906A | JANTX2N2906A | JANTXV2N2906A | JANS2N2906A | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, TO-18, 3 PIN |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | BCY | BCY | BCY | BCY |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 针数 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant | compli | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.6 A | 0.6 A | 0.6 A | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 40 | 40 | 40 | 40 |
| JEDEC-95代码 | TO-18 | TO-18 | TO-18 | TO-18 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C | 200 °C | 200 °C | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL | METAL | METAL | METAL |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP | PNP | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.4 W | 0.4 W | 0.4 W | 0.4 W |
| 认证状态 | Qualified | Qualified | Qualified | Qualified |
| 参考标准 | MIL-19500/291 | MIL-19500/291 | MIL-19500/291 | MIL-19500/291M |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 200 MHz | 200 MHz | 200 MHz | 200 MHz |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | - |
嵌入式系统
DSP 与 ARM 处理器
嵌入式系统
嵌入式系统
创意市集
嵌入式系统
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
