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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> BYW74(Z)
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BYW74(Z)

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-27,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小68KB，共3页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
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BYW74(Z)概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-27,

BYW74(Z)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-27
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.2 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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BL
GALAXY ELECTRICAL
FAST RECOVERY RECTIFIER
FEATURES
Low cost
Diffused junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with Freon,Alcohol,Isopropanol
and similar solvents
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
BYW72(Z)---BYW76(Z)
VOLTAGE RANGE: 200 --- 600 V
CURRENT: 3.0 A
DO - 27
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO-27,molded plastic
Terminals: Axial lead ,solderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.041 ounces,1.15 grams
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BYW72
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
BYW73
300
210
300
BYW74
400
280
400
3.0
BYW75
500
350
500
BYW76
600
420
600
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
200
140
200
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
200.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 3.0 A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
1.1
10.0
100.0
200
32
22
- 55---- +150
- 55---- +150
V
A
ns
pF
／Ｗ
Maximum reverse recovery time (Note1)
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note2)
(Note3)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE: 1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
www.galaxycn.com
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3. Thermal resistance f rom junction to ambient.
Document Number 0261050
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

BYW74(Z)相似产品对比

BYW74(Z) BYW75(Z) BYW76(Z) BYW72(Z) BYW73Z)
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-27, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 500V V(RRM), Silicon, DO-27, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-27, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-27, Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 300V V(RRM),
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V
最大非重复峰值正向电流 200 A 200 A 200 A 200 A 200 A
元件数量 1 1 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A
最大重复峰值反向电压 400 V 500 V 600 V 200 V 300 V
最大反向恢复时间 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 -
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY -
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED -
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON -
JEDEC-95代码 DO-27 DO-27 DO-27 DO-27 -
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 -
相数 1 1 1 1 -
端子数量 2 2 2 2 -
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND -
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM -
最大反向电流 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA -
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE -
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL -
Base Number Matches 1 1 1 1 -

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