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MB84256A-10LP-SK

产品描述CMOS 256K-BIT LOW POWER SRAM
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文件大小634KB,共14页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MB84256A-10LP-SK概述

CMOS 256K-BIT LOW POWER SRAM

MB84256A-10LP-SK规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称FUJITSU(富士通)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP28,.3
针数28
Reach Compliance Codecompli
最长访问时间100 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度262144 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00005 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.07 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
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