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MB84256A-70LPFTN

产品描述CMOS 256K-BIT LOW POWER SRAM
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文件大小634KB,共14页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MB84256A-70LPFTN概述

CMOS 256K-BIT LOW POWER SRAM

MB84256A-70LPFTN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称FUJITSU(富士通)
零件包装代码TSOP
包装说明TSSOP, TSSOP28,.53,22
针数28
Reach Compliance Codecompli
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
内存密度262144 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP28,.53,22
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00005 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.08 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.55 mm
端子位置DUAL
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