Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MB84VA2102-10

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MB84VA2102-10: 产品描述16M (x16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM; 产品类别存储存储; 文件大小178KB，共29页; 制造商FUJITSU(富士通); 官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html

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MB84VA2102-10概述

16M (x16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM

MB84VA2102-10规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	FUJITSU(富士通)
包装说明	LBGA, BGA48,6X8,40
Reach Compliance Code	compli
最长访问时间	100 ns
其他特性	SRAM IS ORGANISED AS 256K X 8
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e0
长度	14 mm
内存密度	16777216 bi
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16
混合内存类型	FLASH+SRAM
功能数量	1
端子数量	48
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-20 °C
组织	1MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3/3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10 mm

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-50104-2E

MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & SRAM

CMOS

16M (×16) FLASH MEMORY &

2M (× 8) STATIC RAM

MB84VA2102

-10

/MB84VA2103

-10

FEATURES

• Power supply voltage of 2.7 to 3.6 V

• High performance

100 ns maximum access time

• Operating Temperature

–20 to +85°C

— FLASH MEMORY

• Minimum 100,000 write/erase cycles

• Sector erase architecture

One 8 K word, two 4 K words, one 16 K word, and thirty one 32 K words.

Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase.

• Boot Code Sector Architecture

MB84VA2102: Top sector

MB84VA2103: Bottom sector

• Embedded Erase

Algorithms

Automatically pre-programs and erases the chip or any sector

• Embedded Program

Algorithms

Automatically writes and verifies data at specified address

• Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion

• Ready-Busy output (RY/BY)

Hardware method for detection of program or erase cycle completion

• Automatic sleep mode

When addresses remain stable, automatically switch themselves to low power mode.

• Low V

write inhibit

≤

2.5 V

• Erase Suspend/Resume

Suspends the erase operation to allow a read in another sector within the same device

Please refer to "MBM29LV160T/B" data sheet in detailed function

— SRAM

• Power dissipation

Operating : 35 mA max.

Standby : 50

µA

max.

• Power down features using CE1s and CE2s

• Data retention supply voltage: 2.0 V to 3.6 V

Embedded Erase

and Embedded Program

are trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

MB84VA2102-10相似产品对比

	MB84VA2102-10	MB84VA2103	MB84VA2102	MB84VA2103-10
描述	16M (x16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM	16M (x16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM	16M (x16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM	16M (x16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM

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