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IRF7831UTRPBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SOP-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小251KB,共10页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRF7831UTRPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SOP-8

IRF7831UTRPBF规格参数

参数名称属性值
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-XDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)100 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)21 A
最大漏源导通电阻0.0036 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XDSO-G8
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)170 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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