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MX25L3255DM2I-10G: 产品描述Flash, 8MX4, PDSO8, 0.200 INCH, ROHS COMPLIANT, SOP-8; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共53页; 制造商Macronix; 官网地址http://www.macronix.com/en-us/Pages/default.aspx; 标准

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MX25L3255DM2I-10G概述

Flash, 8MX4, PDSO8, 0.200 INCH, ROHS COMPLIANT, SOP-8

MX25L3255DM2I-10G规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Macronix
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOP, SOP8,.3
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.1.A
其他特性	ALSO CONFIGURABLE AS 32M X 1, 20 YEAR DATA RETENTION
备用内存宽度	2
最大时钟频率 (fCLK)	104 MHz
数据保留时间-最小值	20
耐久性	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
长度	5.28 mm
内存密度	33554432 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	4
功能数量	1
端子数量	8
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	8MX4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP8,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3/3.3 V
编程电压	2.7 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.16 mm
串行总线类型	SPI
最大待机电流	0.00002 A
最大压摆率	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
类型	NOR TYPE
宽度	5.23 mm
写保护	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches	1

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MX25L3255D

SECURE SERIAL FLASH SPECIFICATION

P/N: PM1431

REV. 1.1, SEP. 09, 2010

MX25L3255D

Contents

FEATURES .................................................................................................................................................................. 5

GENERAL DESCRIPTION ......................................................................................................................................... 7

Table 1. Additional Feature Comparison ............................................................................................................ 7

PIN CONFIGURATIONS ............................................................................................................................................. 8

PIN DESCRIPTION ...................................................................................................................................................... 8

BLOCK DIAGRAM....................................................................................................................................................... 9

DATA PROTECTION.................................................................................................................................................. 10

Table 2. 4K-bit Secured OTP Definition

............................................................................................................ 11

Memory Organization ............................................................................................................................................... 12

Table 3. Memory Organization ........................................................................................................................ 12

DEVICE OPERATION ................................................................................................................................................ 14

Figure 1. Serial Modes Supported.................................................................................................................... 14

COMMAND DESCRIPTION ....................................................................................................................................... 15

Table 4. Command Set ..................................................................................................................................... 15

(1) Write Enable (WREN) ................................................................................................................................. 17

(2) Write Disable (WRDI).................................................................................................................................. 17

(3) Read Identification (RDID)

.......................................................................................................................... 17

(4) Read Status Register (RDSR) .................................................................................................................... 17

(5) Block Write Lock Protection (BLOCKP) ...................................................................................................... 18

(6) Read Block Write Lock status (RDBLOCK) ................................................................................................ 18

(7) Chip Unprotect (UNLOCK).......................................................................................................................... 19

(8) Read Data Bytes (READ) ........................................................................................................................... 19

(9) Read Data Bytes at Higher Speed (FAST_READ) ..................................................................................... 19

(10) 2 x I/O Read Mode (2READ) .................................................................................................................... 19

(11) Dual Read Mode (DREAD) ....................................................................................................................... 20

(12) 4 x I/O Read Mode (4READ) .................................................................................................................... 20

(13) Quad Read Mode (QREAD) ..................................................................................................................... 20

(14) Sector Erase (SE) ..................................................................................................................................... 21

(15) Block Erase (BE)....................................................................................................................................... 21

(16) Chip Erase (CE) ........................................................................................................................................ 21

(17) Page Program (PP)................................................................................................................................... 22

(18) 4 x I/O Page Program (4PP) ..................................................................................................................... 22

(19) Continuously program mode (CP mode) .................................................................................................. 22

(20) Deep Power-down (DP) ............................................................................................................................ 23

(21) Release from Deep Power-down (RDP), Read Electronic Signature (RES) ............................................ 23

(22) Read Electronic Manufacturer ID & Device ID (REMS), (REMS2), (REMS4) .......................................... 24

Table 5. ID Definitions

..................................................................................................................................... 24

(23) Enter Secured OTP (ENSO) ..................................................................................................................... 25

(24) Exit Secured OTP (EXSO) ........................................................................................................................ 25

P/N: PM1431

REV. 1.1, SEP. 09, 2010

MX25L3255D

(25) Read Security Register (RDSCUR) .......................................................................................................... 25

Table 6. Security Register Definition

................................................................................................................ 26

(26) Write Security Register (WRSCUR).......................................................................................................... 26

POWER-ON STATE ................................................................................................................................................... 27

ELECTRICAL SPECIFICATIONS .............................................................................................................................. 28

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ................................................................................................................... 28

Figure 2.Maximum Negative Overshoot Waveform ......................................................................................... 28

CAPACITANCE TA = 25°C, f = 1.0 MHz........................................................................................................... 28

Figure 3. Maximum Positive Overshoot Waveform .......................................................................................... 28

Figure 4. INPUT TEST WAVEFORMS AND MEASUREMENT LEVEL............................................................ 29

Figure 5. OUTPUT LOADING ......................................................................................................................... 29

Table 7. DC CHARACTERISTICS (Temperature = -40°C to 85°C for Industrial grade, VCC = 2.7V ~ 3.6V) . 30

Table 8. AC CHARACTERISTICS (Temperature = -40°C to 85°C for Industrial grade, VCC = 2.7V ~ 3.6V) 31

Timing Analysis ........................................................................................................................................................ 32

Figure 6. Serial Input Timing ............................................................................................................................ 32

Figure 7. Output Timing .................................................................................................................................... 32

Figure 8. WP# Setup Timing and Hold Timing ................................................................................................ 33

Figure 9. Write Enable (WREN) Sequence (Command 06) ............................................................................. 33

Figure 10. Write Disable (WRDI) Sequence (Command 04)............................................................................ 33

Figure 11. Read Identification (RDID) Sequence (Command 9F)

.................................................................... 34

Figure 12. Read Status Register (RDSR) Sequence (Command 05) .............................................................. 34

Figure 13. Block Write Lock Protection (BLOCKP) Sequence (Command E2)............................................... 34

Figure 14. Chip Unprotect (UNLOCK) Sequence (Command F3) .................................................................. 35

Figure 15. Read Data Bytes (READ) Sequence (Command 03) .................................................................... 35

Figure 16. Read Block Protection Lock Status (RDBLOCK) Sequence (Command FB) ................................ 35

Figure 17. Read at Higher Speed (FAST_READ) Sequence (Command 0B) ................................................ 36

Figure 18. 2 x I/O Read Mode Sequence (Command BB) ............................................................................... 36

Figure 19. Dual Read Mode Sequence (Command 3B)................................................................................... 37

Figure 20. 4 x I/O Read Mode Sequence (Command EB) ............................................................................... 37

Figure 21. 4 x I/O Read enhance performance Mode Sequence (Command EB) ........................................... 38

Figure 22. Quad Read Mode Sequence (Command 6B) ................................................................................. 39

Figure 23. Page Program (PP) Sequence (Command 02).............................................................................. 40

Figure 24. 4 x I/O Page Program (4PP) Sequence (Command 38) ................................................................ 40

Figure 25. Continously Program (CP) Mode Sequence with Hardware Detection (Command AD) ................. 41

Figure 26. Sector Erase (SE) Sequence (Command 20) ................................................................................ 41

Figure 27. Block Erase (BE) Sequence (Command D8) ................................................................................. 41

Figure 28. Chip Erase (CE) Sequence (Command 60 or C7) ......................................................................... 42

Figure 29. Deep Power-down (DP) Sequence (Command B9)....................................................................... 42

Figure 30. Release from Deep Power-down and Read Electronic Signature (RES) Sequence (Command AB)

......................................................................................................................................................................... 42

Figure 31. Release from Deep Power-down (RDP) Sequence (Command AB) ............................................. 43

Figure 32. Read Electronic Manufacturer & Device ID (REMS) Sequence (Command 90 or EF or DF) ........ 43

P/N: PM1431

REV. 1.1, SEP. 09, 2010

MX25L3255D

Figure 33. Power-up Timing ............................................................................................................................. 44

Table 9. Power-Up Timing ............................................................................................................................... 44

INITIAL DELIVERY STATE............................................................................................................................... 44

OPERATING CONDITIONS ....................................................................................................................................... 45

Figure 34. AC Timing at Device Power-Up ....................................................................................................... 45

Figure 35. Power-Down Sequence .................................................................................................................. 46

ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE .................................................................................................... 47

DATA RETENTION .................................................................................................................................................... 47

LATCH-UP CHARACTERISTICS .............................................................................................................................. 47

ORDERING INFORMATION ...................................................................................................................................... 48

PART NAME DESCRIPTION ..................................................................................................................................... 49

PACKAGE INFORMATION ........................................................................................................................................ 50

REVISION HISTORY ................................................................................................................................................. 52

P/N: PM1431

REV. 1.1, SEP. 09, 2010

MX25L3255DM2I-10G相似产品对比

	MX25L3255DM2I-10G	MX25L3255DXCI-10G
描述	Flash, 8MX4, PDSO8, 0.200 INCH, ROHS COMPLIANT, SOP-8	IC flash 32mbit 104mhz 24fbga
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	Macronix	Macronix
零件包装代码	SOIC	BGA
包装说明	SOP, SOP8,.3	TBGA, BGA24,4X6,40
针数	8	24
Reach Compliance Code	unknown	unknown
备用内存宽度	2	2
最大时钟频率 (fCLK)	104 MHz	104 MHz
数据保留时间-最小值	20	20
耐久性	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PBGA-B24
长度	5.28 mm	8 mm
内存密度	33554432 bit	33554432 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH
内存宽度	4	4
功能数量	1	1
端子数量	8	24
字数	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
组织	8MX4	8MX4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	TBGA
封装等效代码	SOP8,.3	BGA24,4X6,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	SERIAL	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3/3.3 V	3/3.3 V
编程电压	2.7 V	2.7 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.16 mm	1.2 mm
串行总线类型	SPI	SPI
最大待机电流	0.00002 A	0.00002 A
最大压摆率	0.025 mA	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING	BALL
端子节距	1.27 mm	1 mm
端子位置	DUAL	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
类型	NOR TYPE	NOR TYPE
宽度	5.23 mm	6 mm
写保护	HARDWARE/SOFTWARE	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches	1	1

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