IRF9541概述

19A, 80V, 0.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

IRF9541规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	960 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	19 A
最大漏极电流 (ID)	19 A
最大漏源导通电阻	0.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	P-CHANNEL
功耗环境最大值	125 W
最大功率耗散 (Abs)	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	76 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	140 ns
最大开启时间（吨）	120 ns
Base Number Matches	1

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IRF9541相似产品对比

	IRF9541	RF1S9540	IRF9543	IRF9542
描述	19A, 80V, 0.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	19A, 100V, 0.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA	15A, 80V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	15A, 100V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	_compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	960 mJ	960 mJ	960 mJ	960 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	80 V	100 V	80 V	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	19 A	19 A	15 A	15 A
最大漏极电流 (ID)	19 A	19 A	15 A	15 A
最大漏源导通电阻	0.2 Ω	0.2 Ω	0.3 Ω	0.3 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-262AA	TO-220AB	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSIP-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	175 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	IN-LINE	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	125 W	150 W	125 W	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	76 A	76 A	60 A	60 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
功耗环境最大值	125 W	-	125 W	125 W
最大关闭时间（toff）	140 ns	-	140 ns	140 ns
最大开启时间（吨）	120 ns	-	120 ns	120 ns

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