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51MT120KBPBF

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 3 Element
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小111KB,共9页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准
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51MT120KBPBF概述

Silicon Controlled Rectifier, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 3 Element

51MT120KBPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X14
Reach Compliance Codecompliant
其他特性UL APPROVED
外壳连接ISOLATED
配置3 PHASE BRIDGE, HALF-CONTROLLED, COMMON ANODE
最大直流栅极触发电流150 mA
最大直流栅极触发电压2.5 V
最大维持电流200 mA
JESD-30 代码R-PUFM-X14
元件数量3
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
重复峰值关态漏电流最大值10000 µA
断态重复峰值电压1200 V
重复峰值反向电压1200 V
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间40
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

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Bulletin I27503 08/97
MT..KB SERIES
THREE PHASE CONTROLLED BRIDGE
Power Modules
Features
Package fully compatible with the industry standard INT-A-pak
power modules series
High thermal conductivity package, electrically insulated case
Outstanding number of power encapsulated components
Excellent power volume ratio
4000 V
RMS
isolating voltage
UL E78996 approved
55 A
90 A
110 A
Description
A range of extremely compact, encapsulated three phase
controlled bridge rectifiers offering efficient and reliable
operation. They are intended for use in general purpose
and heavy duty applications.
Major Ratings and Characteristics
Parameters
I
O
@ T
C
I
FSM
@ 50Hz
@ 60Hz
I
2
t
@ 50Hz
@ 60Hz
I
2
√t
V
RRM
range
T
STG
range
T
J
range
53MT.KB 93MT.KB 113MT.KB
52MT.KB 92MT.KB 112MT.KB Units
51MT.KB 91MT.KB 111MT.KB
55
85
390
410
770
700
7700
90
85
950
1000
4525
4130
45250
800 to 1600
- 40 to 125
- 40 to 125
110
85
1130
1180
6380
5830
63800
A
°C
A
A
A
2
s
A
2
s
A
2
√s
V
°C
°C
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