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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 5962R9570801QXX
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5962R9570801QXX

产品描述2KX8 OTPROM, 120ns, CDFP24
产品类别存储    存储   
文件大小137KB，共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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5962R9570801QXX概述

2KX8 OTPROM, 120ns, CDFP24

5962R9570801QXX规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
JESD-30 代码R-CDFP-F24
内存密度16384 bit
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量24
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织2KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式FLAT
端子位置DUAL
总剂量100k Rad(Si) V
Base Number Matches1

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HS-6617RH
TM
Data Sheet
August 2000
File Number
3033.4
Radiation Hardened 2K x 8 CMOS PROM
The Intersil HS-6617RH is a radiation hardened 16K CMOS
PROM, organized in a 2K word by 8-bit format. The chip is
manufactured using a radiation hardened CMOS process,
and is designed to be functionally equivalent to the
HM-6617. Synchronous circuit design techniques combine
with CMOS processing to give this device high speed
performance with very low power dissipation.
On chip address latches are provided, allowing easy
interfacing with recent generation microprocessors that use
multiplexed address/data bus structure, such as the
HS-80C85RH or HS-80C86RH. The output enable control
(G) simplifies microprocessor system interfacing by allowing
output data bus control, in addition to, the chip enable
control. Synchronous operation of the HS-6617RH is ideal
for high speed pipe-lined architecture systems and also in
synchronous logic replacement functions.
Applications for the HS-6617RH CMOS PROM include low
power microprocessor based instrumentation and
communications systems, remote data acquisition and
processing systems, processor control store, and
synchronous logic replacement.
Specifications for Rad Hard QML devices are controlled
by the Defense Supply Center in Columbus (DSCC). The
SMD numbers listed here must be used when ordering.
Detailed Electrical Specifications for these devices are
contained in SMD 5962-95708. A “hot-link” is provided
on our homepage for downloading.
http://www.intersil.com/spacedefense/space.htm
Features
• Electrically Screened to SMD # 5962-95708
• QML Qualified per MIL-PRF-38535 Requirements
• Total Dose . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 krad(Si) (Max)
• Latch-Up Free. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . >1 x 10
12
rad(Si)/s
• Field Programmable
• Functionally Equivalent to HM-6617
• Pin Compatible with Intel 2716
• Low Standby Power . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1mW (Max)
• Low Operating Power . . . . . . . . . . . . 137.5mW/MHz (Max)
• Fast Access Time . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100ns (Max)
• TTL Compatible Inputs/Outputs
• Synchronous Operation
• On Chip Address Latches
• Three-State Outputs
• Nicrome Fuse Links
• Easy Microprocessor Interfacing
• Military Temperature Range . . . . . . . . . . . -55
o
C to 125
o
C
Ordering Information
ORDERING NUMBER
5962R9570801QJC
5962R9570801QXC
5962R9570801VJC
5962R9570801VXC
HS1-6617RH/PROTO
HS9-6617RH/PROTO
INTERNAL
MKT. NUMBER
HS1-6617RH-8
HS9-6617RH-Q
HS1-6617RH-Q
HS9-6617RH-Q
HS1-6617RH/PROTO
HS9-6617RH/PROTO
TEMP. RANGE
(
o
C)
-55 to 125
-55 to 125
-55 to 125
-55 to 125
-55 to 125
-55 to 125
1
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.
1-888-INTERSIL or 321-724-7143
|
Intersil and Design is a trademark of Intersil Corporation.
|
Copyright © Intersil Corporation 2000

5962R9570801QXX相似产品对比

5962R9570801QXX 5962R9570801QJX 5962R9570801VJX 5962R9570801VXX
描述 2KX8 OTPROM, 120ns, CDFP24 2KX8 OTPROM, 120ns, CDIP24 2KX8 OTPROM, 120ns, CDIP24 2KX8 OTPROM, 120ns, CDFP24
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
包装说明 , DIP, DIP, DFP,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 120 ns 100 ns 100 ns 100 ns
JESD-30 代码 R-CDFP-F24 R-CDIP-T24 R-CDIP-T24 R-CDFP-F24
内存密度 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit
内存集成电路类型 OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端子数量 24 24 24 24
字数 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words
字数代码 2000 2000 2000 2000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 2KX8 2KX8 2KX8 2KX8
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK IN-LINE IN-LINE FLATPACK
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 FLAT THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
总剂量 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V
Base Number Matches 1 1 1 1
零件包装代码 - DIP DIP DFP
针数 - 24 24 24
封装代码 - DIP DIP DFP
筛选级别 - MIL-PRF-38535 Class Q MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度 - 5.72 mm 5.72 mm 2.92 mm
端子节距 - 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm
宽度 - 15.24 mm 15.24 mm 9.905 mm

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