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DS1330Y-IND

产品描述Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS,
产品类别存储    存储   
文件大小55KB,共1页
制造商DALLAS
官网地址http://www.dalsemi.com
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DS1330Y-IND概述

Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS,

DS1330Y-IND规格参数

参数名称属性值
厂商名称DALLAS
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间70 ns
其他特性10 YEARS OF DATA RETENTION PERIOD
JESD-30 代码R-XDMA-N34
内存密度262144 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量34
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
Base Number Matches1

DS1330Y-IND相似产品对比

DS1330Y-IND DS1330AB-IND
描述 Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS, Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS,
厂商名称 DALLAS DALLAS
Reach Compliance Code unknown unknown
最长访问时间 70 ns 70 ns
其他特性 10 YEARS OF DATA RETENTION PERIOD 10 YEARS OF DATA RETENTION PERIOD
JESD-30 代码 R-XDMA-N34 R-XDMA-N34
内存密度 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端子数量 34 34
字数 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 32KX8 32KX8
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL
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