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RN2009

产品描述Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小158KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN2009概述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

RN2009规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)70
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.4 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz

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RN2007~RN2009
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2007,RN2008,RN2009
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
l
With built-in bias resistors
l
Simplify circuit design
l
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
l
Complementary to RN1007~RN1009
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resister Values
Type No.
RN2007
RN2008
RN2009
R1 (kΩ)
10
22
47
R2 (kΩ)
47
47
22
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
°
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
RN2007
Emitter-base voltage
RN2008
RN2009
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
I
C
P
C
T
j
T
stg
V
EBO
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
−50
−50
−6
−7
−15
−100
400
150
−55~150
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 0.21g
TO-92
SC-43
2-5F1B
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
1
2001-06-07

RN2009相似产品对比

RN2009 RN2007 RN2008
描述 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
零件包装代码 TO-92 TO-92 TO-92
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.14
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 70 80 80
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.4 W 0.4 W 0.4 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz 200 MHz
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) -
ECCN代码 EAR99 - EAR99
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