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JANTX2N7221D: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小227KB，共8页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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JANTX2N7221D概述

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA

JANTX2N7221D规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code	compliant
雪崩能效等级（Eas）	650 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	400 V
最大漏极电流 (ID)	10 A
最大漏源导通电阻	0.7 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA
JESD-30 代码	R-MSFM-P3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	40 A
认证状态	Not Qualified
参考标准	MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	137 ns
最大开启时间（吨）	117 ns
Base Number Matches	1

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JANTX2N7221D相似产品对比

	JANTX2N7221D	JANTXV2N7221D	2N7221D	2N7221U	2N7221DPBF
描述	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
雪崩能效等级（Eas）	650 mJ	650 mJ	650 mJ	650 mJ	650 mJ
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	400 V	400 V	400 V	400 V	400 V
最大漏极电流 (ID)	10 A	10 A	10 A	10 A	10 A
最大漏源导通电阻	0.7 Ω	0.7 Ω	0.7 Ω	0.7 Ω	0.7 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA
JESD-30 代码	R-MSFM-P3	R-MSFM-P3	R-MSFM-P3	R-MSFM-P3	R-MSFM-P3
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	125 W	125 W	125 W	125 W	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	40 A	40 A	40 A	40 A	40 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	40
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	137 ns	137 ns	137 ns	137 ns	137 ns
最大开启时间（吨）	117 ns	117 ns	117 ns	117 ns	117 ns
Base Number Matches	1	1	1	1	1
是否无铅	含铅	含铅	含铅	-	不含铅
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	-
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	-

JANTX2N7221D

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JANTX2N7221D规格参数

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