Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDSO32, 0.440 INCH, CERAMIC, SOJ-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | SOJ |
| 包装说明 | 0.440 INCH, CERAMIC, SOJ-32 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| 最长访问时间 | 25 ns |
| 其他特性 | AUTOMATIC POWER-DOWN |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-CDSO-J32 |
| 长度 | 20.9804 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 128KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | NO |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | SOJ |
| 封装等效代码 | SOJ32,.44 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 4.191 mm |
| 最大待机电流 | 0.001 A |
| 最小待机电流 | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.145 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 10.9093 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962-8959829MYC | 5962-8959837MNA | 5962-8959829MNC | 5962-8959831MYA | L7C109YMB25 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDSO32, 0.440 INCH, CERAMIC, SOJ-32 | Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.700 INCH, CERAMIC, LCC-32 | Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.700 INCH, CERAMIC, LCC-32 | Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDSO32, 0.440 INCH, CERAMIC, SOJ-32 | Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDSO32, 0.440 INCH, CERAMIC, SOJ-32 |
| 零件包装代码 | SOJ | QFJ | QFJ | SOJ | SOJ |
| 包装说明 | 0.440 INCH, CERAMIC, SOJ-32 | QCCN, LCC32,.45X.7 | QCCN, LCC32,.45X.7 | 0.440 INCH, CERAMIC, SOJ-32 | 0.440 INCH, CERAMIC, SOJ-32 |
| 针数 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| Reach Compliance Code | compliant | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C |
| 最长访问时间 | 25 ns | 25 ns | 25 ns | 25 ns | 25 ns |
| 其他特性 | AUTOMATIC POWER-DOWN | AUTOMATIC POWER-DOWN | AUTOMATIC POWER-DOWN | AUTOMATIC POWER-DOWN | AUTOMATIC POWER-DOWN |
| JESD-30 代码 | R-CDSO-J32 | R-CQCC-N32 | R-CQCC-N32 | R-CDSO-J32 | R-CDSO-J32 |
| 长度 | 20.9804 mm | 17.78 mm | 17.78 mm | 20.9804 mm | 20.9804 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| 字数 | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | NO | YES | NO | YES | YES |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | SOJ | QCCN | QCCN | SOJ | SOJ |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 | MIL-STD-883 | MIL-STD-883 | MIL-STD-883 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 4.191 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 4.191 mm | 4.191 mm |
| 最小待机电流 | 2 V | 2 V | 2 V | 2 V | 2 V |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | J BEND | NO LEAD | NO LEAD | J BEND | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD | QUAD | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 10.9093 mm | 11.43 mm | 11.43 mm | 10.9093 mm | 10.9093 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | - | - | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | - | 不符合 |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | - | COMMON |
| 湿度敏感等级 | 1 | 3 | 3 | - | 3 |
| 封装等效代码 | SOJ32,.44 | LCC32,.45X.7 | LCC32,.45X.7 | - | SOJ32,.44 |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 | 225 | - | - | 225 |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | - | 5 V |
| 最大待机电流 | 0.001 A | 0.01 A | 0.01 A | - | 0.001 A |
| 最大压摆率 | 0.145 mA | 0.14 mA | 0.14 mA | - | 0.145 mA |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED |
| 厂商名称 | - | LOGIC Devices | - | LOGIC Devices | LOGIC Devices |
| JESD-609代码 | - | e0 | e4 | e0 | e0 |
| 端子面层 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped | Gold (Au) | TIN LEAD | Tin/Lead (Sn/Pb) |
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