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BTS121AE3045

产品描述Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小197KB,共9页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BTS121AE3045概述

Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 4 PIN

BTS121AE3045规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
零件包装代码TO-220AB
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)22 A
最大漏源导通电阻0.1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)88 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

BTS121AE3045相似产品对比

BTS121AE3045 BTS121A-E3045
描述 Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 4 PIN 22A, 100V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, 3 PIN
厂商名称 SIEMENS SIEMENS
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 4 3
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR
最小漏源击穿电压 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 22 A 22 A
最大漏源导通电阻 0.1 Ω 0.1 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 88 A 88 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1

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