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IS61S6432-166PQ

产品描述Cache SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100
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文件大小138KB,共19页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS61S6432-166PQ概述

Cache SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100

IS61S6432-166PQ规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码QFP
包装说明PLASTIC, QFP-100
针数100
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间5 ns
其他特性SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER; BYTE WRITE; LINEAR/INTERLEAVED BURST SEQUENCE
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度32
功能数量1
端子数量100
字数65536 words
字数代码64000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP100,.7X.9
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.005 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.215 mA
最大供电电压 (Vsup)3.63 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
宽度14 mm
Base Number Matches1
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