Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRF3709ZCSTRLP

IRF3709ZCSTRLP: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小305KB，共11页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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IRF3709ZCSTRLP概述

Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

IRF3709ZCSTRLP规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
针数	3
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	60 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (ID)	42 A
最大漏源导通电阻	0.0063 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	350 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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PD - 95836

IRF3709ZCS

IRF3709ZCL

Applications

High Frequency Synchronous Buck

Converters for Computer Processor Power

HEXFET

Power MOSFET

DSS

DS(on)

max

30V

6.3m

17nC

Benefits

Low R

DS(on)

at 4.5V V

Low Gate Charge

Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

Pak

IRF3709ZCS

TO-262

IRF3709ZCL

Absolute Maximum Ratings

Parameter

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

= 100°C

STG

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

Continuous Drain Current, V

@ 10V

Continuous Drain Current, V

@ 10V

Pulsed Drain Current

Max.

Units

350

± 20

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

0.53

-55 to + 175

W/°C

°C

300 (1.6mm from case)

Thermal Resistance

Parameter

θJC

θJA

Junction-to-Case

Typ.

Max.

1.89

Units

°C/W

Junction-to-Ambient (PCB Mount)

–––

Notes

through

are on page 11

www.irf.com

1/16/04

IRF3709ZCSTRLP相似产品对比

	IRF3709ZCSTRLP	IRF3709ZCSTRRP	IRF3709ZCSTRR	IRF3709ZCSTRL
描述	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, D2PAK-3	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, D2PAK-3
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3	3	3	3
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	60 mJ	60 mJ	60 mJ	60 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	30 V	30 V	30 V
最大漏极电流 (ID)	42 A	42 A	42 A	42 A
最大漏源导通电阻	0.0063 Ω	0.0063 Ω	0.0063 Ω	0.0063 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3	e3	e0	e0
湿度敏感等级	1	1	1	1
元件数量	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	225	225
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	350 A	350 A	350 A	350 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子面层	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1

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