71322L70L52B,71322L70L52B pdf中文资料,71322L70L52B引脚图,71322L70L52B电路-Datasheet-电子工程世界

71322L70L52B: 产品描述Dual-Port SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, LCC-52; 产品类别存储存储; 文件大小812KB，共12页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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71322L70L52B概述

Dual-Port SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, LCC-52

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
包装说明	LCC-52
Reach Compliance Code	not_compliant
最长访问时间	70 ns
JESD-30 代码	S-XQCC-N52
JESD-609代码	e0
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	52
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	2KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	QCCN
封装等效代码	LCC52,.75SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class B
最大待机电流	0.004 A
最小待机电流	2 V
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	6
Base Number Matches	1

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