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BC857BT-13

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小68KB,共3页
制造商Diodes Incorporated
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BC857BT-13概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3

BC857BT-13规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Diodes Incorporated
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)220
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)235
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

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SPICE MODEL: BC847AT BC857BT BC857CT
BC857AT, BT, CT
PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Features
·
·
·
·
NEW PRODUCT
Epitaxial Die Construction
Complementary NPN Types Available
(BC847AT, BT, CT)
Ultra-Small Surface Mount Package
Available in Lead Free/RoHS Compliant Version
(Note 2)
A
C
TOP VIEW
B
G
H
K
M
E
B C
SOT-523
Dim
A
B
C
D
G
H
J
K
L
D
L
Min
0.15
0.75
1.45
¾
0.90
1.50
0.00
0.60
0.10
0.10
0.45
Max
0.30
0.85
1.75
¾
1.10
1.70
0.10
0.80
0.30
0.20
0.65
Typ
0.22
0.80
1.60
0.50
1.00
1.60
0.05
0.75
0.22
0.12
0.50
¾
Mechanical Data
·
·
·
·
·
·
·
·
·
Case: SOT-523
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020C
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208
Also Available in Lead Free Plating (Matte Tin Finish
annealed over Alloy 42 leadframe). Please See Ordering
Information, Note 5, on Page 2
Terminal Connections: See Diagram
Weight: 0.002 grams (approx.)
Marking Codes (See Table Below & Diagrams on Page 2)
Ordering & Date Code Information: See Page 2
Type
BC857AT
BC857BT
BC857CT
Marking
3V
3W
3G
J
M
N
a
All Dimensions in mm
Maximum Ratings
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation (Note 1)
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
d
R
qJA
T
j
, T
STG
Value
-50
-45
-5.0
-100
150
833
-55 to +150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C/W
°C
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
Notes:
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.
2. No purposefully added lead.
DS30275 Rev. 5 - 2
1 of 3
www.diodes.com
BC857AT, BT, CT
ã
Diodes Incorporated

BC857BT-13相似产品对比

BC857BT-13 BC857AT-13
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 45 V 45 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 220 125
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 235 235
极性/信道类型 PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz
Base Number Matches 1 1
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