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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IS63LV1024L-10KLI
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IS63LV1024L-10KLI

产品描述Thin Film Resistors - SMD 1206 220Kohm 0.1% 25ppm
产品类别存储    存储   
文件大小940KB，共16页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
标准
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IS63LV1024L-10KLI在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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IS63LV1024L-10KLI概述

Thin Film Resistors - SMD 1206 220Kohm 0.1% 25ppm

IS63LV1024L-10KLI规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ISSI(芯成半导体)
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ32,.44
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间10 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J32
JESD-609代码e3
长度20.95 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ32,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.75 mm
最大待机电流0.0015 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.105 mA
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

IS63LV1024L-10KLI相似产品对比

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描述 Thin Film Resistors - SMD 1206 220Kohm 0.1% 25ppm SRAM 1Mb 128Kx8 10ns 3.3v Async SRAM 3.3v SRAM 1Mb 128Kx8 10ns Async SRAM 3.3v Multiplexer Switch ICs 8:1 CMOS Mid Voltage MUX SRAM 1Mb 128Kx8 12ns 3.3v Async SRAM 3.3v Aluminum Organic Polymer Capacitors 35v 330uf 125degC 10 x 10.2mm SMD
是否Rohs认证 符合 符合 符合 - 符合 符合
厂商名称 ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体) - ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体)
Reach Compliance Code compliant compliant compliant - compliant compliant
Base Number Matches 1 1 1 - 1 1

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