SRAM 1Mb 128Kx8 10ns Async SRAM 3.3v
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ISSI(芯成半导体) |
| 零件包装代码 | TSOP2 |
| 包装说明 | TSOP2, |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.B |
| Factory Lead Time | 8 weeks |
| 最长访问时间 | 10 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 20.95 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 128KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP2 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 宽度 | 10.16 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| IS63LV1024L-10TLI-TR | IS63LV1024L-10KLI-TR | IS63LV1024L-10TL | IS63LV1024L-12JL-TR | IS63LV1024L-10KLI | IS63LV1024L-12JL | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | SRAM 1Mb 128Kx8 10ns Async SRAM 3.3v | SRAM 1Mb 128Kx8 10ns 3.3v Async SRAM 3.3v | Multiplexer Switch ICs 8:1 CMOS Mid Voltage MUX | SRAM 1Mb 128Kx8 12ns 3.3v Async SRAM 3.3v | Thin Film Resistors - SMD 1206 220Kohm 0.1% 25ppm | Aluminum Organic Polymer Capacitors 35v 330uf 125degC 10 x 10.2mm SMD |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | ISSI(芯成半导体) | ISSI(芯成半导体) | - | ISSI(芯成半导体) | ISSI(芯成半导体) | ISSI(芯成半导体) |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | - | compliant | compliant | compliant |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - | 1 | 1 | 1 |
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