MMSZ5253C-HE3-08,MMSZ5253C-HE3-08 pdf中文资料,MMSZ5253C-HE3-08引脚图,MMSZ5253C-HE3-08电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MMSZ5253C-HE3-08

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MMSZ5253C-HE3-08: 产品描述Power Switch ICs - Power Distribution PROFET SMART HI SIDE POWER SWITCH 63V; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小96KB，共5页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 标准

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MMSZ5253C-HE3-08概述

Power Switch ICs - Power Distribution PROFET SMART HI SIDE POWER SWITCH 63V

MMSZ5253C-HE3-08规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Vishay(威世)
包装说明	R-PDSO-G2
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	10 weeks
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	ZENER DIODE
最大动态阻抗	35 Ω
JESD-30 代码	R-PDSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.5 W
参考标准	AEC-Q101
标称参考电压	25 V
表面贴装	YES
技术	ZENER
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10
最大电压容差	2%
工作测试电流	5 mA

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