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RSA5LTE25

产品描述Development Boards u0026 Kits - ARM LPC800 Xpresso CORTEX M0+
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小258KB,共5页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RSA5LTE25概述

Development Boards u0026 Kits - ARM LPC800 Xpresso CORTEX M0+

RSA5LTE25规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
击穿电压标称值6.795 V
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
峰值回流温度(摄氏度)225
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压5.8 V
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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RSA5L
Diodes
ESD Protection Devices (TVS)
RSA5L
Description
RSA5L is small but high-power device encapsulated
in PMDS (4.5x2.6mm) package and
is high ESD-resisant device, suitable for
surge protection circuit in all appliances like consumer
electronics and automotive application.
Dimentions
(Unit : mm)
1.5±0.2
CATHODE MARK
1.2±0.3
4.5±0.2
Features
1) Small, power mold type.(PMDS)
2) High reliability.
0.1±
0.1
0.02
2.6±0.2
2.0±0.2
Marking:
5L83
Production year,month(EX.2008,03
Type name(EX. RSA5L
5L)
83)
Structure
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Peak pulse power(tp=10×1000µs)
Stand-off voltage
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
Ppk
V
RWM
Tj
Tstg
Limits
600
5.8
150
-55 to +150
Unit
W
V
Electrical characteristic
(Ta=25°C)
Parameter
Breakdown voltage
Clamping voltage
Reverse current
Symbol
VBR
VC 10/1000µS
IR
Min.
6.45
-
-
Max.
7.14
10.5
800
Unit
V
V
µA
Conditions
I
T
=10mA
Ipp=57A
V
RW M
=5.8V
5.0±0.3
5L
83
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