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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN1902
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RN1902

产品描述TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小260KB，共7页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN1902概述

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

RN1902规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量6 pF
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
VCEsat-Max0.3 V
Base Number Matches1

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RN1901~RN1906
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1901,RN1902,RN1903
RN1904,RN1905,RN1906
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
l
Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads)
l
With built-in bias resistors
l
Simplify circuit design
l
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
l
Complementary to RN2901~RN2906
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
Type No.
RN1901
RN1902
RN1903
RN1904
RN1905
RN1906
R1 (kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ)
4.7
10
22
47
47
47
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 6.8mg
―
―
2-2J1A
Equivalent Circuit
(Top View)
Maximum Ratings
(Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)
°
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN1901~1906
RN1901~1906
RN1901~1904
RN1905, 1906
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
*
T
j
T
stg
Rating
50
50
10
5
100
200
150
−55~150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
*:
Total rating
1
2001-06-07

RN1902相似产品对比

RN1902 RN1901 RN1904 RN1903 RN1906 RN1905
描述 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 ULTRA SUPERMINI, 2-2J1A, US6, 6 PIN SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数 6 6 6 6 6 6
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN RESISTOR RATIO IS 10 BUILT-IN RESISTOR RATIO IS 21.36
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
基于收集器的最大容量 6 pF 6 pF 6 pF 6 pF 6 pF 6 pF
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 50 30 80 70 80 80
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
元件数量 2 2 2 2 2 2
端子数量 6 6 6 6 6 6
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
VCEsat-Max 0.3 V 0.3 V 0.3 V 0.3 V 0.3 V 0.3 V
Base Number Matches 1 - - 1 1 1

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