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NVMFS5826NLWFT3G

产品描述MOSFET Pwr MOSFET 60V 26A 24mOhm SGL N-CH
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小112KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NVMFS5826NLWFT3G在线购买

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NVMFS5826NLWFT3G概述

MOSFET Pwr MOSFET 60V 26A 24mOhm SGL N-CH

NVMFS5826NLWFT3G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明,
针数5
制造商包装代码488AA
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)26 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最高工作温度175 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)39 W
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)

NVMFS5826NLWFT3G相似产品对比

NVMFS5826NLWFT3G NVMFS5826NLWFT1G NVMFS5826NLT3G
描述 MOSFET Pwr MOSFET 60V 26A 24mOhm SGL N-CH LDO Voltage Regulators 500mA Fixed Out Adj MOSFET NFET SO8FL 60V 26A 24MOHM
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
针数 5 5 5
制造商包装代码 488AA 488AA 488AA
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 Single Single SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (Abs) (ID) 26 A 26 A 26 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 39 W 39 W 39 W
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn)
是否Rohs认证 符合 符合 -
Factory Lead Time - 29 weeks 29 weeks

 
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