MOSFET NFET SO8FL 60V 26A 24MOHM
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | ON Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 零件包装代码 | DFN |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| 针数 | 5 |
| 制造商包装代码 | 488AA |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 29 weeks |
| 雪崩能效等级（Eas） | 20 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 26 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.032 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 5 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 39 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 130 A |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| NVMFS5826NLT3G | NVMFS5826NLWFT1G | NVMFS5826NLWFT3G | |
|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET NFET SO8FL 60V 26A 24MOHM | LDO Voltage Regulators 500mA Fixed Out Adj | MOSFET Pwr MOSFET 60V 26A 24mOhm SGL N-CH |
| Brand Name | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
| 针数 | 5 | 5 | 5 |
| 制造商包装代码 | 488AA | 488AA | 488AA |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | Single | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 26 A | 26 A | 26 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 39 W | 39 W | 39 W |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
| Factory Lead Time | 29 weeks | 29 weeks | - |
| 是否Rohs认证 | - | 符合 | 符合 |
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