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IRS2112SPbF

产品描述Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns
产品类别模拟混合信号IC    驱动程序和接口   
文件大小589KB,共19页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
相似器件已查找到19个与IRS2112SPbF功能相似器件
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IRS2112SPbF概述

Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns

IRS2112SPbF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SOP, SOP16,.4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time18 weeks
内置保护TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
接口集成电路类型BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码R-PDSO-G16
JESD-609代码e3
长度10.3 mm
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量16
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
输出电流流向SOURCE AND SINK
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP16,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源15 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.65 mm
最大供电电压20 V
最小供电电压10 V
标称供电电压15 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
断开时间0.16 µs
接通时间0.18 µs
宽度7.5 mm

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Data Sheet No. PD60251
IRS2112(
-1,-2,S
)PbF
Features
HIGH AND LOW SIDE DRIVER
Product Summary
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
t
on/off
(typ.)
Delay Matching
600 V max.
200 mA / 440 mA
10 V - 20 V
135 ns & 105 ns
30 ns
Floating channel designed for bootstrap operation
Fully operational to +600 V
Tolerant to negative transient voltage, dV/dt
immune
Gate drive supply range from 10 V to 20 V
Undervoltage lockout for both channels
3.3 V logic compatible
Separate logic supply range from 3.3 V to 20 V
Logic and power ground +/- 5 V offset
CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
Cycle by cycle edge-triggered shutdown logic
Matched propagation delay for both channels
Outputs in phase with inputs
RoHS compliant
Packages
14-Lead PDIP
IRS2112
16-Lead PDIP
(w/o leads 4 & 5)
IRS2112-2
Description
The IRS2112 is a high voltage, high speed power
MOSFET and IGBT driver with independent high- and
low-side referenced output channels. Proprietary HVIC
and latch immune CMOS technologies enable rug-
14-Lead PDIP
gedized monolithic construction. Logic inputs are com-
(w/o lead 4)
patible with standard CMOS or LSTTL outputs, down
IRS2112-1
to 3.3 V logic. The output drivers feature a high pulse
16-Lead SOIC
current buffer stage designed for minimum driver
IRS2112S
cross-conduction. Propagation delays are matched
to simplify use in high frequency applications. The
floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration
which operates up to 600 V.
Typical Connection
HO
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
COM
LO
V
B
V
S
up to 600 V
TO
LOAD
(Refer to Lead Assignments for correct pin configuration). This diagram shows electrical connections only. Please
refer to our Application Notes and DesignTips for proper circuit board layout.
www.irf.com
1

IRS2112SPbF相似产品对比

IRS2112SPbF IRS2112STRPBF
描述 Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns Flash Memory 64Mb 3V 90ns Parallel NOR Flash
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 SOP, SOP16,.4 SOP, SOP16,.4
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
内置保护 TRANSIENT; UNDER VOLTAGE TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
接口集成电路类型 BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码 R-PDSO-G16 R-PDSO-G16
JESD-609代码 e3 e3
长度 10.3 mm 10.3 mm
湿度敏感等级 3 3
功能数量 1 1
端子数量 16 16
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
输出电流流向 SOURCE AND SINK SOURCE AND SINK
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP SOP
封装等效代码 SOP16,.4 SOP16,.4
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED
电源 15 V 15 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.65 mm 2.65 mm
最大供电电压 20 V 20 V
最小供电电压 10 V 10 V
标称供电电压 15 V 15 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子面层 Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
断开时间 0.16 µs 0.16 µs
接通时间 0.18 µs 0.18 µs
宽度 7.5 mm 7.5 mm

与IRS2112SPbF功能相似器件

器件名 厂商 描述
AUIRS2004STR International Rectifier ( Infineon ) Automotive Grade HALF-BRIDGE DRIVER IC Undervoltage lockout
AUIRS2012STR International Rectifier ( Infineon ) Half Bridge Based Peripheral Driver, 2A, PDSO8, ROHS COMPLIANT, MS-012AA, SOIC-8
AUIRS2110STR International Rectifier ( Infineon ) HALF BRIDGE BASED PRPHL DRVR, PDSO16
AUIRS2112STR Infineon(英飞凌) Gate Drivers 600V High Low DRVR Automotive 290mA
AUIRS2113S Infineon(英飞凌) Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 2-Ch 600V 140ns
AUIRS2113STR International Rectifier ( Infineon ) HALF BRIDGE BASED PRPHL DRVR, PDSO16
AUIRS2301S Infineon(英飞凌) Gate Drivers High Low 600V DRVR 5V -20V 220ns 50ns
AUIRS2301STR International Rectifier ( Infineon ) HALF BRIDGE BASED PRPHL DRVR, PDSO8
AUIRS2302STR Infineon(英飞凌) Gate Drivers AUTO HALF BRDG DRVR 600V 5V to 20V 60ns
IRS2004SPBF Infineon(英飞凌) CAN Interface IC Hi Spd CAN Transceiv
IRS2004STRPBF International Rectifier ( Infineon ) gate drivers half brdg drvr w/ Hi&Lw side outpt
IRS2110SPBF Infineon(英飞凌) 高电压、高速功率 MOSFET驱动和IGBT驱动
IRS2110STRPBF International Rectifier ( Infineon ) BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO16
IRS2112STRPBF International Rectifier ( Infineon ) BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO16
IRS2112STRPBF Infineon(英飞凌) Flash Memory 64Mb 3V 90ns Parallel NOR Flash
IRS2113SPBF International Rectifier ( Infineon ) BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO16
IRS2113STRPBF Infineon(英飞凌) Gate Drivers Hi&Lw Sd Drvr All HiVolt Pins 1 Sd
IRS2302SPBF International Rectifier ( Infineon ) gate drivers half brdg drvr 600v 5 to 20v 540ns
IRS2302STRPBF Infineon(英飞凌) ARM Microcontrollers - MCU
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